講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-07-17 10:00
広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏(三菱電機) MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
抄録 |
(和) |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits)構成のC-Ku帯115%比帯域高出力増幅器について報告する. 試作を行った広帯域高出力MMIC増幅器はC-Ku帯(115%比帯域)の広帯域に渡って平均で出力電力20.6W, PAE(Power Added Efficiency) 18.3%の高出力かつ高効率が得られた.この出力電力はKu帯の周波数まで動作し比帯域100%以上のGaN HEMT MMIC増幅器としては最大の出力電力である. また面積当たりの出力電力も過去文献に対して最も高い結果が得られた. |
(英) |
This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier(HPA), which features high power over C-Ku band 115% relative bandwidth.
A C-Ku band GaN HEMT MMIC amplifier was manufactured and measured. The fabricated MMIC HPA delivered an averaged output power of 20.6W with averaged power added efficiency of 18.3% over C-Ku band. The output power and the power density are state-of-the-art performance for GaN HEMT MMIC amplifiers with more than 100% relative bandwidth and up to Ku band operation frequency. |
キーワード |
(和) |
広帯域増幅器 / GaN HEMT / 高出力増幅器 / マイクロ波 / 広帯域 / / / |
(英) |
Broadband amplifiesr / GaN HEMT / power amplifier / microwave / broadband / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 141, MW2014-53, pp. 1-5, 2014年7月. |
資料番号 |
MW2014-53 |
発行日 |
2014-07-10 (MW, OPE, EST, MWP) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |