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講演抄録/キーワード
講演名 2014-06-20 14:00
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布
中村友紀石塚侑己山口直也玉山泰宏安井寛治長岡技科大エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
抄録 (和) 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギーZnOプリカーサを生成、a面サファイア基板に供給しZnO膜を作製した。様々な厚さのZnO膜の電気伝導特性を調べたところ、膜厚の増加に伴い移動度は大きくなったが、500 nm以下の膜厚では膜厚の減少と共に移動度が大きく減少し残留キャリア濃度は大きく増加した。このことから基板-膜界面近傍に高密度の欠陥を有する層の存在が窺われた。膜厚約5 umのZnO膜について透過電子顕微鏡(TEM)観察によりZnO膜の結晶構造について調べたところ界面近傍に高密度の欠陥の存在が観察された。そこで2波回折条件でのTEM観察より基板-膜界面近傍と膜表面近傍の転位密度の評価を行った。 
(英) Crystalline structure of ZnO thin films, which were grown on a-plane sapphire substrates through a reaction between dimethylzinc and high-temperature H2O produced by a Pt-catalyzed H2 and O2 reaction, was observed. From the measurement of the thickness dependence of electrical properties, the electron mobility and the electron concentration of the ZnO films at room temperature (290K) increased from 29 to 189 cm2V-1s-1 and decreased from 6.9x1018 to 1.5x1017 cm2V-1s-1 with increasing the film thickness from 100 nm to 2800 nm, respectively. The temperature dependences of the electron mobility and the carrier concentration of the films thinner than 500 nm and those of the films thicker than 500 nm were different. From these results, existence of the layer with high-defect density near the film-substrate interface was estimated. In this study, the crystalline structure of the ZnO film with 5 um thickness grown on an a-plane sapphire substrate was observed using cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). The dislocation densities in the films were also evaluated under two-beam condition.
キーワード (和) ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / 結晶構造 / 転位密度 / / /  
(英) ZnO / catalytic reaction / high-temperature H2O / crystalline structure / dislocation density / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 95, CPM2014-36, pp. 43-48, 2014年6月.
資料番号 CPM2014-36 
発行日 2014-06-13 (EMD, CPM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 OME EMD CPM  
開催期間 2014-06-20 - 2014-06-20 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 材料デバイスサマーミーティング 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2014-06-OME-EMD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystalline structure and dislocation distribution of a ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H2O produced by a Pt-catalyzed H2 and O2 reaction 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(2)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction  
キーワード(3)(和/英) 高エネルギーH2O / high-temperature H2O  
キーワード(4)(和/英) 結晶構造 / crystalline structure  
キーワード(5)(和/英) 転位密度 / dislocation density  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 友紀 / Tomoki Nakamura / ナカムラ トモキ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石塚 侑己 / Yuki Ishiduka / イシヅカ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 直也 / Naoya Yamaguchi / ヤマグチ ナオヤ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama / タマヤマ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
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講演者
発表日時 2014-06-20 14:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-EMD2014-16,IEICE-CPM2014-36,IEICE-OME2014-24 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.94(EMD), no.95(CPM), no.96(OME) 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMD-2014-06-13,IEICE-CPM-2014-06-13,IEICE-OME-2014-06-13 


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