講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-06-20 13:25
シリコン貫通ビアからのEMIの導出に関する基礎検討 ○川上雅士・橋本健司(電通大)・村野公俊(東海大)・上 芳夫・肖 鳳超(電通大) EMCJ2014-14 |
抄録 |
(和) |
近年,シリコン貫通ビア(TSV:Through-Silicon-Vias)技術が3次元実装技術の分野で注目されている.しかし,TSVに関するEMCはまだ検討が始まったばかりである. 本報告では,TSVからのEMIの放射を理論的に導出することを目的にTSVペアを模擬した分布定数回路を基にした等価回路モデルを試作し,この等価回路モデルを使ってベクトルポテンシャルから放射電界を導出する方法を検討する. |
(英) |
In recent years, through-silicon via (TSV) technology has attracted attention in the field of 3D packaging technology.
However, research of EMC on TSV is just beginning.
In this report, we have proposed an equivalent circuit model based on a distributed constant circuit simulating the TSV pairs to theoretically derive radiation EMI from TSV.
The radiated electric fields is derived from the vector potential by using the equivalent circuit model. |
キーワード |
(和) |
TSV / 等価回路モデル / ベクトルポテンシャル / / / / / |
(英) |
TSV / Equivalent circuit / Vector potential / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 93, EMCJ2014-14, pp. 25-30, 2014年6月. |
資料番号 |
EMCJ2014-14 |
発行日 |
2014-06-13 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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