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講演抄録/キーワード
講演名 2014-06-19 10:10
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋朝羽俊介横井 淳黒澤昌志加藤公彦坂下満男田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2014-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-45
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文献情報 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-45, pp. 11-16, 2014年6月.
資料番号 SDM2014-45 
発行日 2014-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-06-19 - 2014-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Alleviation of Fermi level pinning of Sn/Ge contact 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki / スズキ アキヒロ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 朝羽 俊介 / Shunsuke Asaba / アサバ シュンスケ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横井 淳 / Jun Yokoi / ヨコイ ジュン
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第8著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第9著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2014-06-19 10:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-45 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.88 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-06-12 


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