電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2014-06-19 16:55
[依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2014-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-60
抄録 (和) 積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiSn)に着目している.本報では,絶縁膜上における GeSn 多結晶薄膜の低温結晶成長に関する最近のトピックス: (1) 低融点 Sn を活用した結晶成長法,(2) 水中レーザーアニール法について紹介する. 
(英) Low temperature growth of Ge1-xSnx on insulators can provide much wider range of options for device fabrication of 3D-LSIs and photo detectors. Simultaneous achievement of both low temperature growth and large grain growth of a GeSn polycrystal is a serious problem. Consequently, we have been developing low-temperature (<450oC) growth by using a eutectic metal of Sn as the assistant. In this techinical report, we introduce our recent topics about the low temperature crystallization of the GeSn thin-films on insulators; i.e., (1) liquid-Sn-driven lateral growth and (2) underwater pulsed laser annealing.
キーワード (和) IV 族半導体 / 多結晶 / 低温形成 / 水中レーザーアニール法 / / / /  
(英) group-IV semiconductor / poly-crystal / low temperature formation / underwater laser annealing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-60, pp. 91-95, 2014年6月.
資料番号 SDM2014-60 
発行日 2014-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-60

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-06-19 - 2014-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 
サブタイトル(和) 低融点Snの活用 
タイトル(英) Low temperature poly-crystallization of group-IV semiconductor films on insulators 
サブタイトル(英) use of low-melting-point Sn 
キーワード(1)(和/英) IV 族半導体 / group-IV semiconductor  
キーワード(2)(和/英) 多結晶 / poly-crystal  
キーワード(3)(和/英) 低温形成 / low temperature formation  
キーワード(4)(和/英) 水中レーザーアニール法 / underwater laser annealing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学/学振 (略称: 名大/学振)
Nagoya University/JSPS (略称: Nagoya Univ./JSPS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2014-06-19 16:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-60 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.88 
ページ範囲 pp.91-95 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2014-06-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会