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講演抄録/キーワード
講演名 2014-06-19 15:20
[依頼講演]ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価
大田晃生劉 冲荒井 崇竹内大智張 海牧原克典宮崎誠一名大SDM2014-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-56
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文献情報 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-56, pp. 69-73, 2014年6月.
資料番号 SDM2014-56 
発行日 2014-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-06-19 - 2014-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Local Characterization of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Thin Films by Using Ni Nanodot Electrode 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 冲 / Chong Liu / リュウ オキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 崇 / Takashi Arai / アライ タカシ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 大智 / Daichi Takeuchi / タケウチ ダイチ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 海 / Hai Zhang / チョウ カイ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-06-19 15:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-56 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.88 
ページ範囲 pp.69-73 
ページ数
発行日 2014-06-12 (SDM) 


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