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講演抄録/キーワード
講演名 2014-06-19 17:15
[依頼講演]4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違
平井悠久東大)・喜多浩之東大/JSTSDM2014-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-61
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-61, pp. 97-100, 2014年6月.
資料番号 SDM2014-61 
発行日 2014-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-06-19 - 2014-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Oxidation-ambience-dependent near-interface structure of thermally grown oxide on 4H-SiC 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平井 悠久 / Hirohisa Hirai / ヒライ ヒロヒサ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ
第2著者 所属(和/英) 東京大学/JSTさきがけ (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/JST-PRESTO (略称: Univ. of Tokyo/JST)
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講演者
発表日時 2014-06-19 17:15:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-61 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.88 
ページ範囲 pp.97-100 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2014-06-12 


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