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| 講演名 | 2014-06-19 16:35 ［依頼講演］酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用 ○鶴岡 徹・長谷川 剛（物質・材料研究機構）  SDM2014-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-59 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物ナノ薄膜中の金属イオン伝導とヘテロ界面の固体電気化学反応を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリーの動作機構解明と機能化に向けた取り組みについて述べる。動作モデルの提案と温度依存性によるモデル妥当性の検証，酸化物中の吸着水の影響などを検討した結果，金属イオンが酸化物ナノ薄膜中でどのように振る舞うかが分かってきた。また，機能化という観点から，原子スイッチの特徴である量子化コンダクタンスとシナプス動作の実現，３端子素子‘アトムトランジスタ’への展開についても述べる。 |
| （英） | We have investigated the operation mechanism of atomic switch-type resistive change memories based on the transport of metal ions in oxide nanofilms and electrochemical reactions at metal/oxide interfaces. We proposed the switching mechanism of Cu,Ag/Ta2O5/Pt cells as a model system, and showed the validity of our model from temperature dependences of the switching behavior. The effect of moisture on the switching characteristics was also revealed. For future applications of the atomic switch, the conductance quantization, synaptic behavior, and three-terminal device called ‘atom transistor’ are demonstrated. | |
| キーワード | （和） | 原子スイッチ / 酸化物 / イオン伝導 / 量子化コンダクタンス / シナプス動作 / アトムトランジスタ / ナノイオニクス / |
| （英） | Atomic switch / Oxides / Ion transport / Quantized conductance / Synaptic plasticity / Atom transistor / Nanoionics / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-59, pp. 85-90, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-59 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic switch-type resistive switching memory using oxide nanofilms and its applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子スイッチ / Atomic switch |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物 / Oxides |
| キーワード(3)（和/英） | イオン伝導 / Ion transport |
| キーワード(4)（和/英） | 量子化コンダクタンス / Quantized conductance |
| キーワード(5)（和/英） | シナプス動作 / Synaptic plasticity |
| キーワード(6)（和/英） | アトムトランジスタ / Atom transistor |
| キーワード(7)（和/英） | ナノイオニクス / Nanoionics |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴岡 徹 / Tohru Tsuruoka / ツルオカ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 剛 / Tsuyoshi Hasegawa / |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 16:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-59 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.85-90 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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