| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 15:40 ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大）  SDM2014-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-57 |
|
| 抄録 | （和） | 抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である．絶縁体薄膜中の導通フィラメントの形成と断裂というメカニズムは広く知られているスイッチングモデルであるが，その導通フィラメントを構成している物質については議論の余地がある．これまでのところ，金属架橋もしくは酸素欠損の集合体がそのフィラメントとして有力視されている．我々は絶縁体薄膜にチタン酸化物とハフニウム酸化物を用いた２種類の抵抗変化メモリのスイッチング特性と低抵抗状態の抵抗の温度依存性を測定し，フィラメントの起源について議論した．Ni/TiO2/Pt素子 は大きなON/OFF比のユニポーラー型スイッチングを示し，Ni/HfO2/Pt素子は小さなON/OFF比のバイポーラー型スイッチングを示した．低抵抗状態の抵抗の温度依存性はどちらの素子も金属的性質を示し，また，抵抗の温度依存性から見積もられた温度係数は，フィラメントがニッケルで形成されていることを示唆する結果となった．Ni/HfO2/Pt素子の温度係数はNi/TiO2/Pt素子のそれより小さい値であり，それは，より小さな直径のフィラメントができていることが原因と考えられる． |
| （英） | Resistance change memory is expected to become one of next generation non-volatile memories. However, there is a question whether a conductive filament formed in the insulator thin film of a resistive-switching random access memory is made of oxygen vacancies or metallic atoms. We investigated resistance change characteristics and temperature dependences of a resistance of Ni/TiO2/Pt and Ni/HfO2/Pt resistance change memories. The Ni/TiO2/Pt and the Ni/HfO2/Pt devices showed unipolar switching with large ON/OFF ratio and bipolar switching with small ON/OFF ratio, respectively. From the temperature dependence of resistance, it is shown that conductive filaments in the low resistance state are metallic for both devices. To investigate the mechanism of conductive filaments, we estimated temperature coefficients of resistance (TCR) from temperature dependence of resistance. It is suggested that conductive filaments consist of nickel atoms for both devices. TCR of the Ni/HfO2/Pt is small than that of the Ni/TiO2/Pt. This is thought that smaller filament is formed in the HfO2 layer. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ / ナノ導通フィラメント / 抵抗の温度依存性 / 温度係数 / Ni/TiO2/Pt / Ni/HfO2/Pt / / |
| （英） | Resistive switching memory / ReRAM / nano conductive filament / temperature dependence of resistance / temperature coefficients of resistance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-57, pp. 75-78, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-57 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-57 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of Resistance of Conductive Nano-filament in Resistance Change Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / Resistive switching memory |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ導通フィラメント / ReRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗の温度依存性 / nano conductive filament |
| キーワード(4)（和/英） | 温度係数 / temperature dependence of resistance |
| キーワード(5)（和/英） | Ni/TiO2/Pt / temperature coefficients of resistance |
| キーワード(6)（和/英） | Ni/HfO2/Pt / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 慎太郎 / Shintaro Otsuka / オオツカ シンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 佳典 / Yoshifumi Hamada / ハマダ ヨシフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 智弘 / Tomohiro Shimizu / シミズ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新宮原 正三 / Shoso Shingubara / シングウバラ ショウゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 15:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-57 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]