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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-29 14:20 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 ○竹内和歌奈・田岡紀之・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大）  ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
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| 抄録 | （和） | Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy （DLTS） 法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないEv+0.19 eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに増加し、空孔欠陥、Sb-V欠陥が減少する。従って、Snの導入によってSn-V欠陥やSn起因の欠陥が優先的に生成される結果、空孔欠陥及びSb-V欠陥に起因するトラップ密度を減少できることがわかった。 |
| （英） | Interaction between Sn and vacancy-related defects in an n-type Ge single crystal have been investigated by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Di-vacancy and Sb-V defects are observed in the both Ge and Sn ion implanted samples. Meanwhile, in the Sn ion implanted samples, a trap of the single energy level of Ev+0.19 eV is observed while it does not appear in the Ge ion implanted samples. The density of this trap increases with the Sn concentration while those of di-vacancy and Sb-V defects decreases. Thus, Sn-V and Sn-related defects are preferentially formed with the Sn implantation into Ge single crystal. Based on these results, these trap density of di-vacancy and Sb-V defects can be decreased with increasing Sn atoms. | |
| キーワード | （和） | イオン注入 / Ge / Sn / 欠陥 / DLTS / / / |
| （英） | Ion implantation / Ge / Sn / defects / DLTS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-24, pp. 113-118, 2014年5月. | |
| 資料番号 | CPM2014-24 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(3)（和/英） | Sn / Sn |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / defects |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 14:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2014-41, CPM2014-24, SDM2014-39 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.113-118 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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