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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-29 14:20
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈田岡紀之坂下満男中塚 理財満鎭明名大ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
抄録 (和) Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) 法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないEv+0.19 eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに増加し、空孔欠陥、Sb-V欠陥が減少する。従って、Snの導入によってSn-V欠陥やSn起因の欠陥が優先的に生成される結果、空孔欠陥及びSb-V欠陥に起因するトラップ密度を減少できることがわかった。 
(英) Interaction between Sn and vacancy-related defects in an n-type Ge single crystal have been investigated by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Di-vacancy and Sb-V defects are observed in the both Ge and Sn ion implanted samples. Meanwhile, in the Sn ion implanted samples, a trap of the single energy level of Ev+0.19 eV is observed while it does not appear in the Ge ion implanted samples. The density of this trap increases with the Sn concentration while those of di-vacancy and Sb-V defects decreases. Thus, Sn-V and Sn-related defects are preferentially formed with the Sn implantation into Ge single crystal. Based on these results, these trap density of di-vacancy and Sb-V defects can be decreased with increasing Sn atoms.
キーワード (和) イオン注入 / Ge / Sn / 欠陥 / DLTS / / /  
(英) Ion implantation / Ge / Sn / defects / DLTS / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-24, pp. 113-118, 2014年5月.
資料番号 CPM2014-24 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) イオン注入 / Ion implantation  
キーワード(2)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(3)(和/英) Sn / Sn  
キーワード(4)(和/英) 欠陥 / defects  
キーワード(5)(和/英) DLTS / DLTS  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2014-05-29 14:20:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-ED2014-41,IEICE-CPM2014-24,IEICE-SDM2014-39 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.113-118 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2014-05-21,IEICE-CPM-2014-05-21,IEICE-SDM-2014-05-21 


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