講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-05-29 10:00
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 ○山本雄磨・村瀬卓弥・石黒真未・山田知明・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大) ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 |
抄録 |
(和) |
本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型(HFET型)UV光センサーを作製した。この光センサーは、受光感度が10kA/W以上かつ暗電流が12pA(駆動電圧4V時)という極めて高い受光感度比であった。最小の光パワーの限界を示す雑音等価パワー(NEP)は0.5fWと極めて低い値を得ることができた。また、この光センサーは室内光や太陽光の存在する雰囲気で火炎の検知を実現できることが確認できた。 |
(英) |
In this study, we fabricated high-performance AlGaN/AlN heterostructure-field effect-transistor-type (HFET-type) UV photosensor with a p-type GaN optical gate. As the result, the photosensitivity of this photosensor was over 10kA/W. Also, dark current density of the photosensor of approximately 12pA were obtained at operated voltage of 4 V. This photosensor detected the extremely weak flame under sunlight irradiation and room light. |
キーワード |
(和) |
紫外受光素子 / 火炎センサー / ソーラーブラインド / HFET / AlGaN / / / |
(英) |
UV detector / flame sensor / solar blind / HFET / AlGaN / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-34, pp. 81-84, 2014年5月. |
資料番号 |
ED2014-34 |
発行日 |
2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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