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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-29 10:00
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用
山本雄磨村瀬卓弥石黒真未山田知明岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32
抄録 (和) 本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型(HFET型)UV光センサーを作製した。この光センサーは、受光感度が10kA/W以上かつ暗電流が12pA(駆動電圧4V時)という極めて高い受光感度比であった。最小の光パワーの限界を示す雑音等価パワー(NEP)は0.5fWと極めて低い値を得ることができた。また、この光センサーは室内光や太陽光の存在する雰囲気で火炎の検知を実現できることが確認できた。 
(英) In this study, we fabricated high-performance AlGaN/AlN heterostructure-field effect-transistor-type (HFET-type) UV photosensor with a p-type GaN optical gate. As the result, the photosensitivity of this photosensor was over 10kA/W. Also, dark current density of the photosensor of approximately 12pA were obtained at operated voltage of 4 V. This photosensor detected the extremely weak flame under sunlight irradiation and room light.
キーワード (和) 紫外受光素子 / 火炎センサー / ソーラーブラインド / HFET / AlGaN / / /  
(英) UV detector / flame sensor / solar blind / HFET / AlGaN / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-34, pp. 81-84, 2014年5月.
資料番号 ED2014-34 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application to flame sensor of nitride-based hetero-field-effect-transistor-type ultraviolet photo detectors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 紫外受光素子 / UV detector  
キーワード(2)(和/英) 火炎センサー / flame sensor  
キーワード(3)(和/英) ソーラーブラインド / solar blind  
キーワード(4)(和/英) HFET / HFET  
キーワード(5)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 雄磨 / Yuma Yamamoto / ヤマモト ユウマ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 村瀬 卓弥 / Takuya Murase / ムラセ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 真未 / Mami Ishiguro / イシグロ マミ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 知明 / Tomoaki Yamada / ヤマダ トモアキ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第8著者 所属(和/英) 名城大学/名古屋大学 (略称: 名城大/名大)
Meijo University/Nagoya University (略称: Meijo Univ./Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-05-29 10:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-34, CPM2014-17, SDM2014-32 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.81-84 
ページ数
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 


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