講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-05-29 14:00
P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications ○Zheng Sun・Marc Olsson(Nagoya Univ.)・Tsutomu Nagayama(Nissin Ion Equipment)・Yoshio Honda・Hiroshi Amano(Nagoya Univ.) ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 |
抄録 |
(和) |
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(英) |
We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. It made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and active the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field. |
キーワード |
(和) |
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(英) |
P-GaN / ion implantation / pre-sputter / power device / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-40, pp. 109-112, 2014年5月. |
資料番号 |
ED2014-40 |
発行日 |
2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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