講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-05-29 11:30
半正定値緩和法を用いたLELECUTトリプルパターニングのためのレイアウト分割手法 ○小平行秀(会津大)・松井知己(東工大)・横山陽子・児玉親亮(東芝)・高橋篤司(東工大)・野嶋茂樹・田中 聡(東芝) VLD2014-6 |
抄録 |
(和) |
次世代リソグラフィ技術として,2つのマスクをパタン形成のために,3つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとして使用するLELECUTタイプのトリプルパターニングが議論されている.本稿では,与えられたレイアウトのパタンを形成するために,半正定値緩和法とランダマイズド算法を用いてLELECUTトリプルパターニングの3 つのマスクのパタン形状を求める手法を提案する. |
(英) |
One of the most promising techniques in the 14 nm logic node and beyond is triple patterning lithography (TPL). Recently, LELECUT type TPL technology, where the third mask is used to cut the patterns, is discussed to alleviate native conflict and overlay problems in LELELE type TPL. In this paper, we formulate LELECUT decomposition problem which maximizes the compliance to the lithography and apply positive semidefinite relaxations. In our proposed methods, LELECUT decomposition is obtained from an optimum solution of the positive semidefinite relaxations by randomized rounding technique. |
キーワード |
(和) |
トリプルパターニング / LELECUT / 半正定値計画法 / / / / / |
(英) |
Triple Patterning / LELECUT / Semidefinite Programming / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 59, VLD2014-6, pp. 27-32, 2014年5月. |
資料番号 |
VLD2014-6 |
発行日 |
2014-05-22 (VLD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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VLD2014-6 |