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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-29 15:35
光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用
田中良和市村正也名工大ED2014-44 CPM2014-27 SDM2014-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-44 CPM2014-27 SDM2014-42
抄録 (和) 電気化学堆積法では不溶性である硫黄をチオ硫酸イオンより供給することで多くの硫化物半導体が作製可能である.また,SnSは化合物太陽電池の吸収層に適したバンドギャップを持つp型半導体である.本研究では電気化学堆積法による硫化スズ(SnS)作製時の光の影響に着目した.キセノン光源にてITO基板に光照射を加えながら電析したSnSと光を遮断して電析したSnSを比較し,光照射が表面モフォロジーに影響を与えることを見出した.また,SnSと光化学堆積法で作製したCdSのヘテロ接合太陽電池を作製し,光起電力を確認した. 
(英) By using the electrochemical deposition (ECD) method, many kinds of sulfide semiconductors can be fabricated using thiosulfate ions as the sulfur source. Tin monosulfide (SnS) is a p-type semiconductor with appropriate bandgap for absorber layer of solar cells. This research is focused on the effects of light irradiation during SnS deposition by ECD. Comparing SnS deposited with and without xenon light irradiation, we found that light irradiation affects the surface morphology. And heterojunctions using light-assisted ECD-SnS and photochemically deposited CdS have photovoltaic properties.
キーワード (和) SnS / 電気化学堆積法 / 光照射 / 太陽電池 / / / /  
(英) SnS / Electrochemical deposition / Light-assisted / Solarcell / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-44, pp. 129-134, 2014年5月.
資料番号 ED2014-44 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of SnS thin film by the light-assisted electrochemical deposition method and application to CdS/SnS heterojunction cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SnS / SnS  
キーワード(2)(和/英) 電気化学堆積法 / Electrochemical deposition  
キーワード(3)(和/英) 光照射 / Light-assisted  
キーワード(4)(和/英) 太陽電池 / Solarcell  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 良和 / Yoshikazu Tanaka / タナカ ヨシカズ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
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講演者
発表日時 2014-05-29 15:35:00 
発表時間 20 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2014-44,IEICE-CPM2014-27,IEICE-SDM2014-42 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.129-134 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2014-05-21,IEICE-CPM-2014-05-21,IEICE-SDM-2014-05-21 


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