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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-28 15:35
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
抄録 (和) 磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバイスとして期待されている.中でも電流誘起磁化反転型の磁気抵抗メモリは,そのエネルギー効率の良さから,特に注目を集めている.電流誘起磁化反転に関して様々な理論研究がなされている一方で,原子・電子レベルでの研究はあまりなされておらず,その詳細な解析が求められている.そこで,Fe/MgO/Fe磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転に関して,第一原理非平衡電子状態計算を用いて研究を行った.具体的には,トンネル磁気抵抗効果や磁化反転層における磁化の電流密度依存性を調べた.さらに,電流誘起磁化反転における電子散乱過程を詳細に解析することによって,非平衡電子状態の観点からその反転機構を提案した. 
(英) Magnetoresistance memory is expected as emerging memory device due to the desired functions such as non-volatility, fast operation, and high endurance. Especially, magnetoresistance memory with switching mechanism by spin-polarized currents attracts much attention. In this work, we investigated the current-induced magnetization switching in an Fe/MgO(001)/Fe magnetic tunnel junction using non-equilibrium first-principles calculations. We found that the change in the magnetization configuration from antiparallel to parallel can be realized with a lower electrical power than that from parallel to antiparallel. From detailed analyses of the density of states subject to a finite bias voltage, we clarified that the asymmetric behavior originates from the difference in the electron scattering processes between switching directions.
キーワード (和) 磁気抵抗メモリ / 電流誘起磁化反転 / 第一原理計算 / / / / /  
(英) Magnetoresistance memory / Current-induced magnetization switching / First-principles calculation / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-10, pp. 47-50, 2014年5月.
資料番号 CPM2014-10 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) First-principles simulation on electron-scattering process in magnetoresistive memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁気抵抗メモリ / Magnetoresistance memory  
キーワード(2)(和/英) 電流誘起磁化反転 / Current-induced magnetization switching  
キーワード(3)(和/英) 第一原理計算 / First-principles calculation  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 貴博 / Takahiro Yamamoto / ヤマモト タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Sci.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2014-05-28 15:35:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-ED2014-27,IEICE-CPM2014-10,IEICE-SDM2014-25 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2014-05-21,IEICE-CPM-2014-05-21,IEICE-SDM-2014-05-21 


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