講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-05-28 16:30
表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 ○川上恭平・石丸貴博・篠原正俊・岡田 浩(豊橋技科大)・古川雅一(アリエースリサーチ)・若原昭浩・関口寛人(豊橋技科大) ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシランを有機金属材料に用いた堆積の条件を検討し,シリコン窒化膜の堆積を確認した。この手法をAlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタ構造の表面に適用し、電気的特性の評価から表面パッシベーション効果を確認した. |
(英) |
New chemical vapor deposition technique using surface-wave plasma is proposed, and silicon nitride film deposition is made. Deposition condition for silicon nitride deposition based-on bis(dimethylamino)dimethylsilane precursor is investigated. The method is applied on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure, and its effectiveness for surface passivation is confirmed by electrical characterization. |
キーワード |
(和) |
表面波プラズマ / 化学気相堆積法 / シリコン窒化膜 / AlGaN/GaN / 表面パッシベーション効果 / / / |
(英) |
surface-wave plasma / chemical vapor deposition / silicon nitride / AlGaN/GaN / surface passivation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-29, pp. 55-58, 2014年5月. |
資料番号 |
ED2014-29 |
発行日 |
2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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