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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-28 16:30
表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用
川上恭平石丸貴博篠原正俊岡田 浩豊橋技科大)・古川雅一アリエースリサーチ)・若原昭浩関口寛人豊橋技科大ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
抄録 (和) マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシランを有機金属材料に用いた堆積の条件を検討し,シリコン窒化膜の堆積を確認した。この手法をAlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタ構造の表面に適用し、電気的特性の評価から表面パッシベーション効果を確認した. 
(英) New chemical vapor deposition technique using surface-wave plasma is proposed, and silicon nitride film deposition is made. Deposition condition for silicon nitride deposition based-on bis(dimethylamino)dimethylsilane precursor is investigated. The method is applied on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure, and its effectiveness for surface passivation is confirmed by electrical characterization.
キーワード (和) 表面波プラズマ / 化学気相堆積法 / シリコン窒化膜 / AlGaN/GaN / 表面パッシベーション効果 / / /  
(英) surface-wave plasma / chemical vapor deposition / silicon nitride / AlGaN/GaN / surface passivation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-29, pp. 55-58, 2014年5月.
資料番号 ED2014-29 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Films Enhanced by Surface-Wave Plasma and Electron Device Application 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 表面波プラズマ / surface-wave plasma  
キーワード(2)(和/英) 化学気相堆積法 / chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) シリコン窒化膜 / silicon nitride  
キーワード(4)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN  
キーワード(5)(和/英) 表面パッシベーション効果 / surface passivation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 恭平 / Kyohei Kawakami / カワカミ キョウヘイ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石丸 貴博 / Takahiro Ishimaru / イシマル タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 正俊 / Masatoshi Shinohara / シノハラ マサトシ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 雅一 / Masakzu Furukawa / フルカワ マサカズ
第5著者 所属(和/英) アリエースリサーチ (略称: アリエースリサーチ)
Aries Research Group (略称: Aries Research Group)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第6著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト
第7著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-05-28 16:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-29, CPM2014-12, SDM2014-27 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 


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