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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-28 16:50
蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気特性と差周波THz波発生特性
鈴木康平長井悠輝前田健作小山 裕東北大ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28
抄録 (和) ガリウムセレン(GaSe)結晶は高い複屈折性、広い透過波長範囲(0.6-20μm)と大きな非線形光学定数(d_{22} = 54 pm/V)を併せ持つことから、差周波混合原理に基づく同軸位相整合による高効率THz波発生が可能な非線形光学結晶として期待されている。THz波発生特性向上のためには、ストイキオメトリ組成制御と熱平衡点欠陥の抑制が重要である。さらに遷移金属添加により禁制帯内に自由キャリアの捕獲を促す深い準位を導入することも有効である。そこで本研究では、蒸気圧制御温度差液相成長法により、THz波発生に向けた層状半導体GaSeの結晶成長を行い、成長した結晶は、ホール係数測定により市販Bridgman結晶との比較を行った。また液相成長GaSe結晶によりテラヘルツ波発生に初めて成功したので報告する。 
(英) Gallium selenide (GaSe) shows some characteristic features such as high birefringence, wide transparency wavelength range (0.6-20 micrometer) and large nonlinear optical coefficient (d_{22} = 54 pm/V). Because of these superior properties, GaSe crystals are expected as one of the most promising nonlinear optical crystals which realize the difference frequency THz generation under collinear phase matching. For improvement of THz wave generation efficiency via difference frequency generation (DFG), reduction of thermal equilibrium point defects in GaSe crystals and stoichiometry control is very important. In addition, the introduction of deep levels via transition metal element doping is also important in view of the reduction of free carrier concentration by recombination process. In this study, layered semiconductor GaSe crystals for the THz wave generation were grown at constant growth temperature using liquid phase epitaxy (LPE) under controlled Se vapor pressure and these crystals were evaluated in comparison with the commercially available Bridgman grown crystals. Finally, THz emission characteristics via DFG process were shown using present LPE crystals for the first time.
キーワード (和) テラヘルツ波 / 差周波発生 / ガリウムセレン / 液相成長 / ストイキオメトリ制御 / / /  
(英) Terahertz wave / Difference frequency generation / Gallium selenide / Liquid phase epitaxy / Stoichiometry control / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-30, pp. 59-63, 2014年5月.
資料番号 ED2014-30 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気特性と差周波THz波発生特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical and THz difference frequency generation characteristics of GaSe crystals prepared by liquid phase epitaxy under controlled Se vapor pressure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ波 / Terahertz wave  
キーワード(2)(和/英) 差周波発生 / Difference frequency generation  
キーワード(3)(和/英) ガリウムセレン / Gallium selenide  
キーワード(4)(和/英) 液相成長 / Liquid phase epitaxy  
キーワード(5)(和/英) ストイキオメトリ制御 / Stoichiometry control  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 康平 / Kohei Suzuki / スズキ コウヘイ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長井 悠輝 / Yuki Nagai / ナガイ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 健作 / Kensaku Maeda / マエダ ケンサク
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-05-28 16:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-30, CPM2014-13, SDM2014-28 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 


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