講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-05-28 10:50
GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大) ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
抄録 |
(和) |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩和過程は詳しく検討されているが、GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の貫通転位密度依存性に関しては詳細な報告例がない。本研究では、サファイア基板上に低温バッファ層を介して成長したGaNとGaN基板上にGaInNヘテロ接合を形成し、その緩和過程をその場観察X線法、XRD、CL、走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡、AFM等を駆使して比較検討した。その結果、サファイア基板上のGaInN/GaNと比較して、貫通転位密度が低いGaN基板上GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の方が小さいことが分かった。 |
(英) |
In this study, we investigated the critical thickness in GaInN/GaN heterostructure system as function of dislocation density in underlying GaN layer by in situ XRD measurement. As a result, critical thickness of misfit dislocation introducing in GaInN was significant depends on the dislocation density in the GaN underlying layer. |
キーワード |
(和) |
GaInN/GaN / 貫通転位密度 / 緩和過程 / その場観察X線法 / / / / |
(英) |
GaInN/GaN / dislocation density / strain relaxation / in situ XRD / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-1, pp. 1-6, 2014年5月. |
資料番号 |
CPM2014-1 |
発行日 |
2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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