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講演抄録/キーワード
講演名 2014-04-18 10:30
[招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発
福田寿一小原弘治堂坂利彰武山泰久緑川 剛東芝)・橋本健二脇山一郎TOSMEC)・宮野信治北城岳彦東芝ICD2014-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-12
抄録 (和) 65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA(27fA/b)を達成した。quarter array activation scheme(QAAS)とcharge shared hierarchical bit line(CSHBL)を適用し、動作時電力は、25μW/MHzを達成。このSRAMのリーク電流は低電力MCUのディープ・スリープ・モードの電流に比べて無視できるほど小さいため、SRAMの全てを、ディープ・スリープ・モードの時でさえ通電させておくことが可能になった。 
(英) Low leakage 128kb SRAM with 65 nm technology that consumes only 3.5nA (27fA/b) in the retention mode is fabricated. Operation power consumption is also reduced to 25μW/MHz by adopting quarter array activation scheme(QAAS) charge shared hierarchical bit line(CSHBL). Its leakage current is negligible small compared to the deep sleep mode current of the low power MCU, all of SRAMs in the chip can be awaken even in the deep sleep mode.
キーワード (和) SRAM / Low Lekage Current / MCU / XLLSRAM / QAAS / CSHBL / /  
(英) SRAM / Low Lekage Current / MCU / XLLSRAM / QAAS / CSHBL / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-12, pp. 59-64, 2014年4月.
資料番号 ICD2014-12 
発行日 2014-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2014-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-12

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2014-04-17 - 2014-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 7ns-Access-Time 25μW/MHz 128kb SRAM for Low-Power Fast Wake-Up MCU in 65nm CMOS with 27fA/b Retention Current 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) Low Lekage Current / Low Lekage Current  
キーワード(3)(和/英) MCU / MCU  
キーワード(4)(和/英) XLLSRAM / XLLSRAM  
キーワード(5)(和/英) QAAS / QAAS  
キーワード(6)(和/英) CSHBL / CSHBL  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 寿一 / Toshikazu Fukuda / フクダ トシカズ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小原 弘治 / Koji Kohara / コハラ コウジ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 堂坂 利彰 / Toshiaki Dozaka / ドウザカ トシアキ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 泰久 / Yasuhisa Takeyama / タケヤマ ヤスヒサ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 緑川 剛 / Tsuyoshi Midorikawa / ミドリカワ ツヨシ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 健二 / Kenji Hashimoto / ハシモト ケンジ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝マイクロエレクトロニクス (略称: TOSMEC)
Toshiba Microelectronics Corporation (略称: TOSMEC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 脇山 一郎 / Ichiro Wakiyama / ワキヤマ イチロウ
第7著者 所属(和/英) 株式会社東芝マイクロエレクトロニクス (略称: TOSMEC)
Toshiba Microelectronics Corporation (略称: TOSMEC)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ
第8著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 北城 岳彦 / Takehiko Hojo / ホウジョウ タケヒコ
第9著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者
発表日時 2014-04-18 10:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2014-12 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.13 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2014-04-10 


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