講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-18 13:55
ICチップレベルの高周波電磁ノイズ計測に用いる高感度オンチップ集積化アクティブ磁界プローブの開発 ○重田洋二郎・佐藤徳之・荒井 薫・山口正洋(東北大)・影山慎吾(トッパン) EMCJ2014-3 |
抄録 |
(和) |
ICチップレベルの高空間分解能と高感度を両立可能なオンチップ集積化アクティブ磁界プローブを開発した.とくにLTE Band1 受信回路で使用されている2.1 GHz 帯における高感度設計を前提に,この帯域でQ値の高いコイルを設計するとともに,オンチップ増幅回路を差動型とした.これらを0.18 µm Si-CMOSテクノロジーで設計し、磁界プローブ基板に実装した.またLTE級のICチップ上の近傍磁界計測を行い、ICチップレベルの電磁ノイズ計測への有用性を示した。 |
(英) |
An on-chip active magnetic field probe having high sensitivity and high spatial resolution simultaneously has been designed and fabricated. Taking into account the high sensitivity in the 2.1 GHz bands used for the LTE(Long Term Evolution)-class receiver circuit, a set of loop coil and differential amplifier were designed and implemented in 0.18 µm Si-CMOS technology and mounted to PCB.
Usefulness of this active probe for near-field measurements for LTE-class RFIC chips has been demonstrated. |
キーワード |
(和) |
近傍磁界計測 / 磁界プローブ / 電磁環境両立性 / LTE級受信回路 / / / / |
(英) |
magnetic near field measurement / magnetic field probe / electromagnetic compatibility / LTE-class receiver / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 15, EMCJ2014-3, pp. 13-18, 2014年4月. |
資料番号 |
EMCJ2014-3 |
発行日 |
2014-04-11 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EMCJ2014-3 |