講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-18 10:15
室温原子層堆積法を用いたHfO2-MOSの試作と評価 ○大場尚志・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦(山形大) ED2014-14 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-14 |
抄録 |
(和) |
ゲート絶縁膜として高誘電率材料であるHfO2が有効であり、これを利用した高性能MOSの製造技術を獲得することを目的とする。室温原子層堆積法を用いて、Si(100)基板上へHfO2膜の堆積を試み、堆積した膜をXPS及び分光エリプソメーターにより評価した。室温原子層堆積法では、原料ガスとしてtetrakis-ethylmethylaminohafnium(TEMAH)、酸化剤としてプラズマ励起した水を使用した。XPS測定より膜中には、不純物であるC、Nが混入していることを確認した。そのため、熱処理を行い不純物の低減ができるか調査を行った。また、未処理と熱処理後のHfO2膜を使用したMOSキャパシタを試作し、それぞれのMOSキャパシタの電気的特性の評価を行うために、C-V及びI-V測定を行った。本研究は、室温原子層堆積法で製作したHfO2膜の構造及び電気的特性の評価についてまとめたものである。 |
(英) |
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キーワード |
(和) |
原子層堆積法 / HfO2 / MOS / / / / / |
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文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 12, ED2014-14, pp. 55-58, 2014年4月. |
資料番号 |
ED2014-14 |
発行日 |
2014-04-10 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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