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講演抄録/キーワード
講演名 2014-04-18 15:15
[依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-17
抄録 (和) 磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティングマイクロプロセッサ(MPU)を提案する.NV-F/FをMPUの内部状態の記憶に用いることで,3μsecという短いEntry/Exit遅延時間でパワーゲーティング動作を実行可能とした.このEntry/Exit遅延時間を達成するために,安定かつ高速な不揮発データ書き込み/読み出し可能なNV-F/F回路を新たに開発した.このMPUは,そのパワーゲーティングモードの制御容易性という特長により,低電力システムの実現に寄与する. 
(英) We propose a novel power-gated microprocessor unit (MPU) using a nonvolatile flip-flop (NV-F/F) with magnetic tunnel junction (MTJ). By using the NV-F/F to store the MPU's internal state, this MPU realizes power-gating operation with a small 3-microsec entry/exit delay penalty in power-on/power-off. To achieve this short entry/exit delay, an appropriate NV-F/F circuit, which can perform stable high speed store/recall operations, has been developed. The MPU will help in the realization of low power systems due to its easy controllability for the power gating mode.
キーワード (和) パワーゲーティング / マイクロプロセッサ / フリップフロップ / 磁気トンネル接合 / 不揮発 / / /  
(英) power-gating / MPU / flip-flop / MTJ / nonvolatile / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-17, pp. 85-90, 2014年4月.
資料番号 ICD2014-17 
発行日 2014-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2014-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-17

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2014-04-17 - 2014-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A power-gated MPU with 3-microsecond entry/exit delay using MTJ-based nonvolatile flip-flop 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーゲーティング / power-gating  
キーワード(2)(和/英) マイクロプロセッサ / MPU  
キーワード(3)(和/英) フリップフロップ / flip-flop  
キーワード(4)(和/英) 磁気トンネル接合 / MTJ  
キーワード(5)(和/英) 不揮発 / nonvolatile  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 洋紀 / Hiroki Koike / コイケ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 崎村 昇 / Noboru Sakimura / サキムラ ノボル
第2著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 根橋 竜介 / Ryusuke Nebashi / ネバシ リュウスケ
第3著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 幸秀 / Yukihide Tsuji / ツジ ユキヒデ
第4著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 森岡 あゆ香 / Ayuka Morioka / モリオカ アユカ
第5著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ
第6著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 本庄 弘明 / Hiroaki Honjo / ホンジョウ ヒロアキ
第7著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ タダヒコ
第8著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大澤 隆 / Takashi Ohsawa / オオサワ タカシ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 羽生 貴弘 / Takahiro Hanyu / ハニュウ タカヒロ
第11著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ
第12著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第13著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2014-04-18 15:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2014-17 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.13 
ページ範囲 pp.85-90 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2014-04-10 


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