講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-11 10:50
BLDAを用いた低温プロセスpoly-Si TFT ○下田清治・杉原弘也・井村公彦・岡田竜弥・野口 隆(琉球大) SDM2014-14 OME2014-14 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-14 OME2014-14 |
抄録 |
(和) |
低コストでの製造プロセスによるpoly-Si TFTは、ガラス上およびフレキシブルパネルに必要とされている。本研究では、近年、新しいLTPS (低温ポリシリコン)として報告されているBLDA (青色半導体レーザダイオードアニール)を用いてイオン注入なしでトップゲート型TFTを作製した。作製したTFTに水素アニールを施すことで特性の向上ができた。水素アニールを含めTFTは400℃以下の低温プロセスで作製したことから、BLDAを用いたTFTはフレキシブル基板上への応用が期待される。 |
(英) |
Poly-Si TFTs by low cost fabrication process are required on glass as well as on flexible panel. Top-gate-type TFT without ion-implantation was fabricated with ultra-low temperature process below 400℃ using BLDA. Ti was adopted for source and drain. High performance TFTs formed by low cost process are expected on plastic and on flexible sheet using BLDA. |
キーワード |
(和) |
薄膜トランジスタ / 低温 / シリコン / 結晶化 / レーザアニール / / / |
(英) |
TFT / Low temperature / Silicon / Crystallization / Laser annealing / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 1, SDM2014-14, pp. 59-61, 2014年4月. |
資料番号 |
SDM2014-14 |
発行日 |
2014-04-03 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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