講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-10 15:00
非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響 ○茂藤健太・崎山 晋・酒井崇嗣・中嶋一敬・岡本隼人・高倉健一郎・角田 功(熊本高専) SDM2014-5 OME2014-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-5 OME2014-5 |
抄録 |
(和) |
電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した.その結果,2MeVの高エネルギー電子線を非晶質Ge薄膜に照射すると,電子線照射なしの場合に比べて約2倍もの速度で結晶成長が誘起されることが分かった.更に,横方向成長領域の結晶性は良好であった.これらの結果は,電子線照射を利用した金属誘起成長法が結晶化時間の短縮に有効であることを示している. |
(英) |
Au-induced crystallization for amorphous Ge(a-Ge)thin film on insulator is investigated as low-temperature crystallization method. However,low-temperature crystallization is required long annealing time(~a few hours)in this method. To reduce the annealing time for crystallization,we have examined the electron irradiation effect of Au-induced crystallization for a-Ge/SiO2. As a result,the annealing time for crystallization is reduced to 1/2 by electron irradiation. In addition,the lateral crystallization region has high crystalline quality. These results suggest that Au-induced crystallization for a-Ge/SiO2 is enhanced by electron irradiation. |
キーワード |
(和) |
金属誘起成長 / 低温形成 / ゲルマニウム / 電子線照射 / / / / |
(英) |
Metal induced crystallization / Low temperature formation / Germanium / Electron irradiation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 1, SDM2014-5, pp. 21-25, 2014年4月. |
資料番号 |
SDM2014-5 |
発行日 |
2014-04-03 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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