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講演抄録/キーワード
講演名 2014-03-05 13:55
WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール
紫村輝之山本和也関 博昭檜枝護重平野嘉仁三菱電機MW2013-218 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-218
抄録 (和) WCDMA端末用電力増幅器モジュール(PAM)の低コスト化を図るため、Si/GaAs混載構造を用いてシングルバンド(SB) PAM (バンド8対応)とマルチバンド(MB) PAM (バンド1, 2, 5, 8対応)を試作した。これらのPAMは、低中出力での効率維持のため、高出力モード(HPM)と低出力モード(LPM)の2つの出力モードからなる。CMOSチップには、バイアス/制御回路、HPMの最終段を除くRF増幅段及びRF経路切替スイッチを、HBTチップには,HPMの最終増幅段とそのバイアス回路のみを集積化した。また、MB PAMのバンド切替スイッチ用にHEMTを採用した。試作したSi/GaAs混載PAMの特性を電源電圧3.4VのもとWCDMA変調信号(3GPP R99)を用いて評価した。SB PAM(880-915MHz)において、HPM(出力28.5dBm)で効率44%、LPM(出力17dBm)で効率20%の優れた特性を良好なACLR(<-39dBc)と共に達成した。同様にMB PAMの各バンド(824-915MHz , 1850-1980MHz)においても、良好な-37dBc以下のACLRを保ちながらHPMの効率35~40%、LPMの効率14~15%を実現した。 
(英) Single-band (SB) and multiband (MB) power amplifier modules (PAM) are demonstrated for WCDMA handsets applications. The PAMs feature bulk Si-CMOS and GaAs-HBT hybrid architecture for pursuing low cost while maintaining high efficiency and high- and low-power mode (HPM and LPM) function. In the PAMs, the CMOS die accommodates a driver stage for the HPM, two power stages for the LPM, and several RF switches in addition to their-related bias and switch control functions. A power stage and its related bias block for the HPM are integrated on the GaAs-based HBT die, and a band select switch used in the MB PAM is implemented using a GaAs-based HEMT process. Measurements under a condition of WCDMA modulation (3GPP, R99) and 3.4-V power supplies show that the SB PAM operating in 880-915MHz can deliver a 28.5dBm output power (Pout), a 44% power-added efficiency (PAE), and a -39dBc 5-MHz-offset adjacent channel leakage power ratio (ACLR) in the HPM. In the LPM, a PAE as high as 20% is obtained at 17dBm of Pout. The MB PAM operating in the bands of 824-915MHz and 1850-1980MHz also achieves high PAE of 35~ 40% in the HPM and 14~15% PAE in the LPM while keeping ACLR of less than -37dBc.
キーワード (和) 電力増幅器 / WCDMA端末 / HBT / CMOS / HEMT / 広帯域整合 / /  
(英) power amplifiers / WCDMA terminals / HBT / CMOS / HEMT / broadband matching / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 460, MW2013-218, pp. 123-128, 2014年3月.
資料番号 MW2013-218 
発行日 2014-02-25 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード MW2013-218 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-218

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2014-03-04 - 2014-03-05 
開催地(和) 愛媛大学 
開催地(英) Ehime University 
テーマ(和) マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2014-03-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Si/GaAs Hybrid Power Amplifier Modules for WCDMA Handset Terminals 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電力増幅器 / power amplifiers  
キーワード(2)(和/英) WCDMA端末 / WCDMA terminals  
キーワード(3)(和/英) HBT / HBT  
キーワード(4)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(5)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(6)(和/英) 広帯域整合 / broadband matching  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 紫村 輝之 / Teruyuki Shimura / シムラ テルユキ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 和也 / Kazuya Yamamoto / ヤマモト カズヤ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 関 博昭 / Hiroaki Seki / セキ ヒロアキ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 檜枝 護重 / Morishige Hieda / ヒエダ モリシゲ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano / ヒラノ ヨシヒト
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者
発表日時 2014-03-05 13:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2013-218 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.460 
ページ範囲 pp.123-128 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-MW-2014-02-25 


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