講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-03-05 13:00
SOTBでのDVSに向けた温度モニタ回路の検討 ○和田達矢・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2013-160 |
抄録 |
(和) |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide: SOTB) は、低電圧で高速動作が可能である。しかし、温度変化による遅延時間や消費電力のバラツキが大きくなるため、バラツキ補正が必要である。この問題を解決するために、本論文では2電源によるDVSを8ビット順次桁上げ加算器(RCA)に適用した。その結果、一定の遅延時間制約を満たしつつ、ダイナミック電力を最大で70%、非動作時の消費電力を最大で53%低減できることが分かった。また、2電源DVSに向けた温度モニタ回路に、リークモニタ回路を使用することで、従来研究より最大11%低い消費電力で動作する温度モニタを提案する。 |
(英) |
SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide) transistors can operate at high speed in the ultra-low voltage. However, variation in circuit delay and power by change of temperature becomes large. In this paper, we apply DVS with two supply voltages to 8-bit RCA using SOTB to solve this problem. We demonstrate that dynamic power consumption of RCA can be reduced by up to 70% and static power consumption can be reduced up to 53%. Moreover, the thermal monitor using a leakage monitor circuit consumes up to 11% less power than the conventional counterpart. |
キーワード |
(和) |
低消費電力 / SOTB / DVS / リークモニタ / 温度モニタ / / / |
(英) |
Low Power / SOTB / DVS / Leakage Monitor / Thermal Monitor / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-160, pp. 141-146, 2014年3月. |
資料番号 |
VLD2013-160 |
発行日 |
2014-02-24 (VLD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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