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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-03-04 14:40 超微細化を実現する側壁ダブル・クアドラプルパターニングのための3色グリッド配線手法 ○児玉親亮（東芝）・市川裕隆（東芝マイクロエレクトロニクス）・中嶌史晴・中山幸一・野嶋茂樹・小谷敏也（東芝）  VLD2013-151 |
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| 抄録 | （和） | 光リソグラフィの延命技術とよばれ，次世代リソグラフィ技術の実用化までの「つなぎ」のような存在であったダブルパターニング技術は，今や半導体の微細化に欠かせない重要な製造技術となっている．そのダブルパターニング技術も，微細化が進んでパターンのハーフピッチが$20~nm$を下回り，さらに$14~nm$テクノロジになるとトリプルパターニングやクアドラプルパターニングといった，より高度な微細パターニング技術が必要になる．我々はこれまで側壁加工プロセスによるマルチパターニング技術のためのレイアウト手法について検討を行ってきた．本稿では，側壁加工プロセスを2回繰り返すことにより，芯材の4分の1ピッチのパターンを形成可能な，側壁スペーサープロセス（ネガティブ型）による側壁クアドラプルパターニングのためのグリッド配線手法を提案する．提案手法は予め3色に塗り分けられたグリッドを利用することで側壁クアドラプルパターニングのための配線レイアウトを描画可能であり，しかも容易に芯材となるマスクパターンを導出できる．また，同じグリッド構造でポジティブ型の側壁ダブルパターニングのためのレイアウトも可能であることを示す． |
| （英） | Self-Aligned Double and Quadruple Patterning (SADP, SAQP) are leading candidates for sub-$20~nm$ and sub-$14~nm$ node and beyond, but designing their feasible layouts must follow stricter constraints than in Litho-Etch-Litho-Etch process. Despite their robustness against overlay, SADP and SAQP are challenging processes since predicting wafer image instantly is almost impossible. We propose a new simple grid routing method for Spacer-Is-Dielectric (SID)-type SAQP process, preparing each node painted in different three colors interchangeably, so that we can design the target layout predicting the wafer image. The proposed grid structure utilizes conventional routing algorithms such as maze router etc. We can easily derive two kinds of mandrel patterns from the resultant data without complex coloring or decomposition methods. Also, we propose SADP-aware routing method for Spacer-Is-Metal (SIM) process based on the same grid structure. For both SID-SAQP and SIM-SADP processes, classical maze-routing algorithm is implemented and the effectiveness is confirmed. To our best knowledge, this is the first SID-compliant SADP-aware routing method. |
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| キーワード | （和） | リソ / 側壁ダブルパターニング / 側壁クアドラプルパターニング / 側壁加工 / SADP / SAQP / / |
| （英） | Lithography / Self-Aligned Double Patterning / Self-Aligned Quadruple Patterning / Sidewall process / SADP / SAQP / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-151, pp. 99-104, 2014年3月. | |
| 資料番号 | VLD2013-151 | |
| 発行日 | 2014-02-24 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2013-151 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
| 開催期間 | 2014-03-03 - 2014-03-05 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2014-03-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超微細化を実現する側壁ダブル・クアドラプルパターニングのための3色グリッド配線手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Double and Quadruple Patterning-Aware Grid Routing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | リソ / Lithography |
| キーワード(2)（和/英） | 側壁ダブルパターニング / Self-Aligned Double Patterning |
| キーワード(3)（和/英） | 側壁クアドラプルパターニング / Self-Aligned Quadruple Patterning |
| キーワード(4)（和/英） | 側壁加工 / Sidewall process |
| キーワード(5)（和/英） | SADP / SADP |
| キーワード(6)（和/英） | SAQP / SAQP |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 親亮 / Chikaaki Kodama / コダマ チカアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 裕隆 / Hirotaka Ichikawa / イチカワ ヒロタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス) Toshiba Microelectronics Corporation (略称： Toshiba Microelectronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶌 史晴 / Fumiharu Nakajima / ナカジマ フミハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 幸一 / Koichi Nakayama / ナカヤマ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野嶋 茂樹 / Shigeki Nojima / ノジマ シゲキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 敏也 / Toshiya Kotani / コタニ トシヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-03-04 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2013-151 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.454 |
| ページ範囲 | pp.99-104 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-24 (VLD) |
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