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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 11:00 ［招待講演］三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 ○水島賢子（富士通研/東工大）・金 永ソク（東工大/ディスコ）・中村友二（富士通研）・杉江隆一・橋本秀樹（東レリサーチセンター）・上殿明良（筑波大）・大場隆之（東工大）  SDM2013-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-167 |
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| 抄録 | （和） | 10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がSi基板に与えるダメージを正確に把握する必要がある。異なる研削条件および研削量を変えた時の基板のダメージに関して、表面凹凸測定・TEM観察・ラマン測定を行い、また、初めて陽電子消滅法による空孔型欠陥についても評価した。荒研削後は約3 umのダメージが形成されるが、そのダメージは仕上げ研削により除去され、新たに200 nmのダメージが形成される。表層から約100 nmまでの深さには空孔型欠陥が存在していた。その後にCMP処理を行うと、TEMで観察可能なダメージは消滅し、数nmのアモルファス層のみが形成された。ダメージのタイプおよび厚さは、研削方法による差は著しいが、同一研削方法で研削量を多くしてもダメージの厚さは増加しないことが確認された。 |
| （英） | Ultra-thin wafer is indispensable for bumpless 3D stacking. To know the thinning damage in detail, an atomic level defects occurred during wafer thinning and mechanical stress at micro region of the fracture surface have been studied. The damage was evaluated using µ-Raman spectroscopy, laser microscope, transmission electron microscope and positron annihilation spectroscopy. Coarse (#320 grit) grind causes roughly 500 MPa compressive stress and around 3 µm defect layer is formed. Fine (#2000 grit) grind enables to form a plane surface and reduces the stress down to 100-200 MPa. However the damaged layer of 200 nm is still remained and vacancy-type defect was exist almost 100 nm thick. After Chemical Mechanical Polish (CMP), no defects and stress-free surface were found except atomic level vacancies, which were detected a few nm thick after 1-um-CMP. | |
| キーワード | （和） | 裏面研削 / ダメージ / 陽電子消滅 / ラマン / TEM / 三次元積層 / 薄化 / |
| （英） | Back grinding / Damage / Positron Annihilation Analysis / Raman / TEM / 3D-IC / Thinning / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 451, SDM2013-167, pp. 13-18, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-167 | |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-02-28 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Back Grind Damage on Si Wafer Thinning for 3D Integration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 裏面研削 / Back grinding |
| キーワード(2)（和/英） | ダメージ / Damage |
| キーワード(3)（和/英） | 陽電子消滅 / Positron Annihilation Analysis |
| キーワード(4)（和/英） | ラマン / Raman |
| キーワード(5)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | 三次元積層 / 3D-IC |
| キーワード(7)（和/英） | 薄化 / Thinning |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水島 賢子 / Yoriko Mizushima / ミズシマ ヨリコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所/東京工業大学 (略称： 富士通研/東工大) Fujitsu Laboratories Ltd./Tokyo Institute of Technology (略称： Fujitsu Lab./Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 永ソク / Youngsuk Kim / キム ヨンソク |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学/株式会社ディスコ (略称： 東工大/ディスコ) Tokyo Institute of Technology/Disco Corporation (略称： Tokyo Inst. of Tech./Disco) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉江 隆一 / Ryuichi Sugie / スギエ リュウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東レリサーチセンター (略称： 東レリサーチセンター) Toray Research Center Inc. (略称： Toray Research Center) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 秀樹 / Hideki Hashimoto / ハシモト ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東レリサーチセンター (略称： 東レリサーチセンター) Toray Research Center Inc. (略称： Toray Research Center) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上殿 明良 / Akira Uedono / ウエドノ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 隆之 / Takayuki Ohba / オオバ タカユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 11:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-167 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.451 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) |
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