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講演抄録/キーワード
講演名 2014-02-28 09:00
MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 ~ 窒化物量子井戸構造の解析 ~
伊藤成顕ソダーバンル ハッサネット杉山正和中野義昭東大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-142 SDM2013-157
抄録 (和) GaN/AlNのコンダクションバンドオフセット(Conduction Band Offset : CBO)は2.1eVと他の化合物半導体に比べて高く、この材料による量子井戸を用いた共鳴トンネルダイオード(Resonant Tunneling Diode : RTD)は負性抵抗において高PV比(Peak to Valley Ratio : PVR)を持つと期待される。一方、量産に適した有機金属気相成長(MOVPE)で作製したGaN/AlN界面の組成分布は急峻でなく、MOVPEで作製した素子は期待通りの特性を示さない可能性がある。そこで我々は、界面の組成非急峻性をGaN/AlN量子井戸のサブバンド間遷移(Intersubband transition : ISBT)によるスペクトルの測定と理論解析により評価し、RTD構造のバンド計算に反映させることで、RTDの作製に適した結晶成長条件を見出した。さらに、実際にMOVPEで共鳴トンネルダイオード構造を作製し、負性抵抗を確認した。 
(英) Owing to large conduction band offset of 2.1 eV, which is larger than the values for other compound semiconductor systems, GaN/AlN resonant tunneling diode (RTD) is expected to shows negative differential resistance with high peak valley ratio(PVR). On the other hand, the GaN/AlN interface obtained by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), which is a growth method compatible with mass production, cannot be accompanied by an abrupt atomic content profile, and thus the RTD fabricated by MOVPE may not perform as expected theoretically. We therefore investigated non-abruptness of the interfacial atomic content profile by observing the intersubband transition (ISBT) spectra for GaN/AlN quantum wells and analyzing them in terms of the numerical simulations of ISBT. An appropriate growth condition for the growth of RTD structures was obtained through the band-diagram calculation of the RTD structure taking such interface non-abruptness into account. Furthermore, RTD devices with GaN/AlN interfaces was fabricated by MOVPE, which successfully exhibited negative differential resistance (NDR).
キーワード (和) GaN / サブバンド / 共鳴トンネルダイオード / 量子井戸 / / / /  
(英) GaN / subband / resonant tunneling diode / quantum well / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 449, ED2013-142, pp. 55-59, 2014年2月.
資料番号 ED2013-142 
発行日 2014-02-20 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2014-02-27 - 2014-02-28 
開催地(和) 北海道大学百年記念会館 
開催地(英) Hokkaido Univ. Centennial Hall 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 
サブタイトル(和) 窒化物量子井戸構造の解析 
タイトル(英) Fabrication of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes by MOVPE 
サブタイトル(英) Analysis of Nitride Quantum Well Structures 
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) サブバンド / subband  
キーワード(3)(和/英) 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode  
キーワード(4)(和/英) 量子井戸 / quantum well  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 成顕 / Naruaki Itoh / イトウ ナルアキ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ソダーバンル ハッサネット / Hassanet Sodabanlu / ソダーバンル ハッサネット
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉山 正和 / Masakazu Sugiyama / スギヤマ マサカズ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 義昭 / Yoshiaki Nakano / ナカノ ヨシアキ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2014-02-28 09:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-142,IEICE-SDM2013-157 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.449(ED), no.450(SDM) 
ページ範囲 pp.55-59 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2014-02-20,IEICE-SDM-2014-02-20 


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