講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-02-28 10:15
カリウムイオンSiO2エレクトレット膜の帯電特性 ○橋口 原・杉山達彦・芝田 泰(静岡大) ED2013-145 SDM2013-160 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-145 SDM2013-160 |
抄録 |
(和) |
カリウムイオンをシリコン酸化膜の中に混入させ帯電膜とする新しいエレクトレット膜形成方法を開発した。
シリコンを水蒸気酸化する際に、キャリアガスで水酸化カリウム水溶液をバブリングして酸化炉内に導入する。
酸化後に700℃程度の高温で電圧を印加することで印加した電圧とほぼ等しい帯電膜を得るが、本講演では静電型アクチュエータによる
帯電のその場観察と帯電電圧測定、帯電電圧の経時変化などについて報告する。 |
(英) |
We have developed a new fabrication method of electret made of SiO2 film. In this method, KOH solution is bubbled by career gas of oxidation, resuilting in incorporation of Potassium ions in SiO2 film simultaneously.
Electret voltage is then given by applying voltage at arround 700 ℃. This paper describes in-situ monitoring of the charging process and charging voltage measurement using an electrostatic actuator. Time degradation measurement of the electret film is also presented using a comb-drive actuator. |
キーワード |
(和) |
エレクトレット / カリウムイオン / 静電型アクチュエータ / MEMS / / / / |
(英) |
Electret / Potassium ion / Electrostatic actuator / MEMS / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 450, SDM2013-160, pp. 73-76, 2014年2月. |
資料番号 |
SDM2013-160 |
発行日 |
2014-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2013-145 SDM2013-160 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-145 SDM2013-160 |
研究会情報 |
研究会 |
ED SDM |
開催期間 |
2014-02-27 - 2014-02-28 |
開催地(和) |
北海道大学百年記念会館 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ. Centennial Hall |
テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
Functional nanodevices and related technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2014-02-ED-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
カリウムイオンSiO2エレクトレット膜の帯電特性 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Charging properties of potassium ion SiO2 electret film |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
エレクトレット / Electret |
キーワード(2)(和/英) |
カリウムイオン / Potassium ion |
キーワード(3)(和/英) |
静電型アクチュエータ / Electrostatic actuator |
キーワード(4)(和/英) |
MEMS / MEMS |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋口 原 / Gen Hashiguchi / ハシグチ ゲン |
第1著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉山 達彦 / Tatsuhiko Sugiyama / スギヤマ タツヒコ |
第2著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
芝田 泰 / Yasushi Shibata / シバタ タスシ |
第3著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2014-02-28 10:15:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2013-145, SDM2013-160 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.449(ED), no.450(SDM) |
ページ範囲 |
pp.73-76 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2014-02-20 (ED, SDM) |