講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-02-28 11:40
Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫(北大) ED2013-148 SDM2013-163 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-148 SDM2013-163 |
抄録 |
(和) |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作原理として有力視されているが、その詳細は未解明である。我々はReRAMの動作機構を評価するため、Cu/MoOx構造のReRAMのスイッチ動作の詳細を、その場TEM手法により観察した。TEM内で実デバイスのメモリ特性を再現でき、Set時にはCuフィラメントの形成、Reset時には消失が起こった。繰り返しスイッチ評価をしたところ、フィラメントは一か所で形成-消滅を繰り返すわけでなく、その位置を変えることが観察された。 |
(英) |
While a conductive filament formed by movement of the metal ions in the solid electrolyte is considered as the mechanism of resistive random access memory (ReRAM), the details of conductive filaments are still unknown. In order to investigate the switching mechanism of the ReRAM, we examined the details of switching operation of ReRAM made of Cu/MoOx using in-situ TEM. The I-V characteristics obtained from actual devices were reproduced also at the measurements in TEM. During the Set and the Reset processes, formation and rupture of Cu filaments were clearly observed. When the repeated switching behavior was investigated in TEM, it was found that the filament position can change at individual switching operation.
Keyword Resistive Random Access Memory (ReRAM), Solid Electrolyte, in-situ TEM |
キーワード |
(和) |
抵抗変化メモリ / 固体電解質 / in-situ TEM / / / / / |
(英) |
Resistive Random Access Memory (ReRAM) / Solid Electrolyte / in-situ TEM / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 450, SDM2013-163, pp. 89-94, 2014年2月. |
資料番号 |
SDM2013-163 |
発行日 |
2014-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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