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講演抄録/キーワード
講演名 2014-02-27 15:10
SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について
井 幸孝小川晃史田中哲郎鹿児島大EE2013-56 CPM2013-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-157
抄録 (和) 本稿の目的は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)のドレイン-ゲート間相互作用による誤動作の発生条件を実験的に調べ、その結果からSiC-BGSITのSPICE素子モデルを構築することである。ドレイン-ゲート間相互作用の実験では、実験が容易で素子破壊の起こりにくい並列構成を用いている。
回路シミュレーションによりドレイン-ゲート間相互作用の定量的な解析を行うため、SPICE素子モデルの構築を試みた。SPICE3にはSITの素子モデルが存在しないため、特性の近いJFETモデルで代用した結果、実験と一致しない場合も見られた。 
(英) The objective of this report is to experimentally investigate the occurrence conditions of false operation caused by the drain-to-gate interaction of a SiC buried-gate static-induction-transistor (SiC-BGSIT) and to make a SPICE element model of the device. In the experiments on the drain-to-gate interaction, the parallel-structured circuit by which the experiments are easily performed and the devices are protected is employed. To conduct the quantitative analysis of the drain-to-gate interaction through circuit simulations, a SPICE element model of the SiC-BGSIT was build on trial. The SPICE3 JFET model is used for the SiC-BGSIT; in some cases simulation results do not correspond with experimental results.
キーワード (和) SiC / BGSIT / ドレイン‐ゲート間相互作用 / SPICE / / / /  
(英) SiC / BGSIT / drain - gate interactions / SPICE / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 444, EE2013-56, pp. 43-48, 2014年2月.
資料番号 EE2013-56 
発行日 2014-02-20 (EE, CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2013-56 CPM2013-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-157

研究会情報
研究会 EE CPM  
開催期間 2014-02-27 - 2014-02-27 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 電池技術関連,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2014-02-EE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) On switching characteristics and equivalent circuit of SiC-BGSIT device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) BGSIT / BGSIT  
キーワード(3)(和/英) ドレイン‐ゲート間相互作用 / drain - gate interactions  
キーワード(4)(和/英) SPICE / SPICE  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 井 幸孝 / Yukitaka I / イ ユキタカ
第1著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 晃史 / Akihumi Ogawa / オガワ アキフミ
第2著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 哲郎 / Tetsuro Tanaka / タナカ テツロウ
第3著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
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講演者
発表日時 2014-02-27 15:10:00 
発表時間 30 
申込先研究会 EE 
資料番号 IEICE-EE2013-56,IEICE-CPM2013-157 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.444(EE), no.445(CPM) 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EE-2014-02-20,IEICE-CPM-2014-02-20 


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