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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-29 14:40
[招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技研組合エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-143
抄録 (和) 薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で起こる伝播遅延時間(τpd)ばらつきの急増が大きな課題である。本研究では、様々な論理回路のダイ間遅延ばらつきの抑制のために、P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御を提案し、実証した。 
(英) Small-variability transistors such as silicon on thin buried oxide (SOTB) are effective for reducing the operation voltage (Vdd). In the ultralow-Vdd regime, however, the upsurging delay (τpd) variability is the most important challenge. This paper proposes the balanced n/p drivability control method for reducing the die-to-die delay variation by back bias applicable for various circuits. Excellent variability reduction by this balanced control is demonstrated at Vdd = 0.4 V.
キーワード (和) SOTB / SOI / 基板バイアス / リングオシレータ / τpd / ばらつき / 超低電圧 /  
(英) SOTB / SOI / back bias / ring oscillator / τpd / variability / ultra-low voltage /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-143, pp. 35-38, 2014年1月.
資料番号 SDM2013-143 
発行日 2014-01-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-01-29 - 2014-01-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Suppression of Die-to-Die Delay Variability of Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) CMOS Circuits by Balanced P/N Drivability Control with Back-Bias for Ultralow-Voltage (0.4 V) Operation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) 基板バイアス / back bias  
キーワード(4)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator  
キーワード(5)(和/英) τpd / τpd  
キーワード(6)(和/英) ばらつき / variability  
キーワード(7)(和/英) 超低電圧 / ultra-low voltage  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama /
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto /
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 博文 / Hirofumi Shinohara /
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu /
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda /
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii /
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi /
第7著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro- Communications (略称: Univ. of Electro- Comm.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani /
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto /
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi /
第10著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
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講演者
発表日時 2014-01-29 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-143 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.420 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2014-01-22 


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