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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-29 10:50 ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研）  SDM2013-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-138 |
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| 抄録 | （和） | 高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。高温イオン注入により、11nmの極薄SOI層において、イオン注入後も結晶状態が維持され、活性化アニールにより無欠陥な結晶が得られる。高温イオン注入を行ったnMOS及びpMOS FinFETsにおけるIon-Ioff、Vthばらつき、BTI特性の何れも室温イオン注入に比べ改善することが分かった。 |
| （英） | The impact of heated ion implantation (I/I) technology on metal-gate (MG)/high-k (HK) CMOS SOI FinFET performance and reliability has been thoroughly investigated. It was demonstrated that heated I/I brings perfect crystallization after annealing even in ultrathin Si channel. For the first time, it was found that heated I/I dramatically improves the characteristics such as Ion-Ioff, Vth variability, and bias temperature instability (BTI) for both nMOS and pMOS FinFETs in comparison with conventional room temperature I/I. | |
| キーワード | （和） | FinFETs / ソース／ドレイン Extension / 高温イオン注入 / 結晶化 / Ion / Ioff / BTI特性 / |
| （英） | FinFETs / Source/drain Extension / Heated Ion Implantation / Crystallization / Ion / Ioff / BTI Characteristics / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-138, pp. 13-16, 2014年1月. | |
| 資料番号 | SDM2013-138 | |
| 発行日 | 2014-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-138 |
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