講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-28 15:00
[ポスター講演]抵抗変化型メモリ(ReRAM)の抵抗値のコントロール ○藤井達也・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健(中大) ICD2013-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-128 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、次世代不揮発メモリとして注目されており、データ保持時間や耐久性、高速な読み書きなどに優れている。ReRAMは電圧を印加することで高・低抵抗状態となる。この性質を利用してデータを保存する。しかし、抵抗が変化するパラメータが不規則であるため、大量生産の大きな課題となっている。また、その物理原理はまだ完全に解明されていない。そのため、その抵抗値をコントロールすることは困難である。本論文では、実験を通してこの問題に対する新たな見識を得ることを目的とする。 |
(英) |
ReRAM is being developed and considered as a next-generation non-volatile memory. It shows excellent performances such as scalability, switching speed, endurance, and data retention, etc. ReRAM becomes high/low resistance state when it is applied a voltage. For this property, it saves a data. However, the uniformity of the switching parameters has been the major challenge for the large-scale manufacturing. The physical origin is still not well understood so far. Therefore, it is difficult to control the resistance. In this paper, we aim to obtain new insights on this problem through experiment. |
キーワード |
(和) |
ReRAM / 不揮発性メモリ / / / / / / |
(英) |
ReRAM / non-volatile memory / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-128, pp. 65-65, 2014年1月. |
資料番号 |
ICD2013-128 |
発行日 |
2014-01-21 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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