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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-28 15:00 ［ポスター講演］磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ ○森 陽紀・柳田晃司・梅木洋平・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）  ICD2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-110 |
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| 抄録 | （和） | STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory)は不揮発性メモリでありながら高密度，高速動作，無限回書き換え可能という特性を持ち，SRAM代替メモリとして注目を集めている．しかし，デバイス特性上，書き込みが読出しに比べ低速であるため書込み動作がメモリ全体の律速要因となっている． 本研究ではSTT-MRAMのキャッシュ応用向け技術として，高速動作を実現するために必要である書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャを提案する．提案アーキテクチャでは4Mb STT-MRAMマクロを複数のバンクに分割し，ライトバッファブロックからの書込みを行うことにより書込み動作を並列化させる．書込み動作の並列化により一つの書込み動作が終了する前に次の処理を開始できるため，全体のスループットが向上する．また書込み直後にデータの読出しが発生する場合にはライトバッファからのデータ出力が可能である． 本提案アーキテクチャについて65nmプロセスを用い設計，実装を行った． |
| （英） | STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory) attracts an attention as the substitute memory of SRAM. The STT-MRAM is a non-volatile memory, and it has the properties of high density, high-speed operation and infinite rewriting. However, the write-operation has limited throughput of memory access because the write operation is slower than read operation, derived from the device characteristics. In this study, we propose memory architecture of the STT-MRAM for improving the throughput. In the proposed architecture, a 4-Mb STT-MRAM is divided into multiple bunks and conducts parallel writing with a write buffer. The throughput is improved because a next access is carried out by multiple writing before the previous write operation is finished. If a read access to the buffered data occurs, then it can be output from the write buffer immediately. We designed and implemented the proposed architecture in a 65-nm process. |
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| キーワード | （和） | STT-MRAM / 高速化技術 / キャッシュ / / / / / |
| （英） | STT-MRAM / High-Speed Technique / Cache Memory / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-110, pp. 27-27, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ICD2013-110 | |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2014-01-28 - 2014-01-29 |
| 開催地（和） | 京都大学時計台記念館 |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. Tokeidai Kinenkan |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-01-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STT-MRAM Architecture for Improving Throughput |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | STT-MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 高速化技術 / High-Speed Technique |
| キーワード(3)（和/英） | キャッシュ / Cache Memory |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 陽紀 / Haruki Mori / モリ ハルキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳田 晃司 / Koji Yanagida / ヤナギダ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅木 洋平 / Yohei Umeki / ウメキ ヨウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 秀輔 / Shusuke Yoshimoto / ヨシモト シュウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和泉 慎太郎 / Shintaro Izumi / イズミ シンタロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 雅彦 / Masahiko Yoshimoto / ヨシモト マサヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi / カワグチ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 浩司 / Koji Tsunoda / ツノダ コウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-28 15:00:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-110 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.419 |
| ページ範囲 | p.27 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) |
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