講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-16 14:00
AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション ○井川裕介(徳島大)・李 根三(日本シノプシス)・敖 金平(徳島大)・大野泰夫(eデバイス) ED2013-118 MW2013-183 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-118 MW2013-183 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 379, MW2013-183, pp. 47-52, 2014年1月. |
資料番号 |
MW2013-183 |
発行日 |
2014-01-09 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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研究会情報 |
研究会 |
ED MW |
開催期間 |
2014-01-16 - 2014-01-17 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
テーマ(英) |
Power devices, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
MW |
会議コード |
2014-01-ED-MW |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFETs Side-Gating Effect |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
井川 裕介 / Yusuke Ikawa / イカワ ユウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
徳島大学 (略称: 徳島大)
University of Tokushima (略称: Univ. of Tokushima) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
李 根三 / Keunsam Lee / リ グンサム |
第2著者 所属(和/英) |
日本シノプシス合同会社 (略称: 日本シノプシス)
Nihon Synopsys G.K. (略称: Nihon Synopsys) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
敖 金平 / Jin-Ping Ao / アオ ジンピン |
第3著者 所属(和/英) |
徳島大学 (略称: 徳島大)
University of Tokushima (略称: Univ. of Tokushima) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大野 泰夫 / Yasuo Ohno / |
第4著者 所属(和/英) |
株式会社eデバイス (略称: eデバイス)
e-Device, Incorporated (略称: e-Device) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2014-01-16 14:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
MW |
資料番号 |
ED2013-118, MW2013-183 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.378(ED), no.379(MW) |
ページ範囲 |
pp.47-52 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2014-01-09 (ED, MW) |
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