講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-16 11:20
MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸(東工大) ED2013-115 MW2013-180 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-115 MW2013-180 |
抄録 |
(和) |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、トライゲート構造による優れた電流制御性と、MOVPE再成長を用いてチャネル層を覆う形で配置されたn+-InGaAsソース領域による高い電流供給能力を併せ持つデバイス構造を提案する。本報告では立体型チャネル構造へのソース再成長プロセスと、これを用いて試作したデバイスの電流特性について報告する。 |
(英) |
InGaAs MOSFETs are attractive candidate for future high-speed and low-power-consumption devices. To enhance the performance of that, we propose a novel device structure contains superior current controllability due to tri-gate structure and high current drivability due to n+-InGaAs source surrounding the non-planar channel. In this report, we demonstrate the source regrowth process for non-planar channel structure and current characteristics of the device fabricated by using regrowth. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / InGaAs / 高移動度チャネル / マルチゲートデバイス / MOVPE / / / |
(英) |
MOSFET / InGaAs / high mobility channel / multigate device / MOVPE / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 378, ED2013-115, pp. 29-33, 2014年1月. |
資料番号 |
ED2013-115 |
発行日 |
2014-01-09 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2013-115 MW2013-180 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-115 MW2013-180 |