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講演抄録/キーワード
講演名 2013-12-20 14:00
高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析
武田浩太郎開 達郎土澤 泰西 英隆高 磊福田 浩山本 剛NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTTOPE2013-140 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-140
抄録 (和) 本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード(Ge-PD)を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバンドにおける感度を測定した。Ge-PDは15Vの駆動電圧下で1.14 A/Wを超える感度をCおよびLバンドで示した。理論式からGe-PDの感度を計算し、計算結果が測定結果と合致したことから、この高い感度がフランツ・ケルディッシュ効果とアバランシェ効果による増幅によって引き起こされたと結論付けた。更に符号誤り率の計算結果からGe-PDの最小受光感度を算出した。これらの結果から、両効果と暗電流、および最小受光感度の関係について議論を行った。 
(英) We demonstrate a responsivity of germanium photodiode (GePD) with a silicon waveguide in the C- and L-band under high-voltage reverse bias driving. At a bias of 15 V, the germanium photodiode exhibits responsivity of over 1.14 A/W in the entire C- and L-bands. The high responsivity in the L-band is due to Franz-Keldysh (F-K) effect and avalanche effect. We proved that the high responsivity under high bias driving is due to both effects by numerical calculation. For accurate calculation, a change in thickness of depression layer in germanium mesa with bias voltage was considered. Calculation results considering the contributions of both effects show good agreement with measurement results. Considering contributions of both effects to minimum detection limit, optimization for dark current and electric field applied to Ge is discussed.
キーワード (和) ゲルマニウムフォトダイオード / フランツ・ケルディッシュ効果 / アバランシェ効果 / / / / /  
(英) Germanium photodiode / Franz-Keldysh effect / Avalanche effect / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 370, OPE2013-140, pp. 13-18, 2013年12月.
資料番号 OPE2013-140 
発行日 2013-12-13 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2013-140 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-140

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2013-12-20 - 2013-12-20 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2013-12-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characteristics and analysis of germanium waveguide photodiode under high voltage driving 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ゲルマニウムフォトダイオード / Germanium photodiode  
キーワード(2)(和/英) フランツ・ケルディッシュ効果 / Franz-Keldysh effect  
キーワード(3)(和/英) アバランシェ効果 / Avalanche effect  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 浩太郎 / Kotaro Takeda / タケダ コウタロウ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 開 達郎 / Tatsuro Hiraki / ヒラキ タツロウ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 英隆 / Hidetaka Nishi / ニシ ヒデタカ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高 磊 / Rai Kou / コウ ライ
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩 / Hiroshi Fukuda / フクダ ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 剛 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ
第7著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 一実 / Kazumi Wada / ワダ カズミ
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ
第10著者 所属(和/英) 日本電信電話 (略称: NTT)
Nippon Telegragh and Telephone Corporation (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2013-12-20 14:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-OPE2013-140 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.370 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OPE-2013-12-13 


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