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講演抄録/キーワード
講演名 2013-12-16 13:15
[招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
佐藤 優川野陽一芝 祥一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-91
抄録 (和) 電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれのシステムにおいても増幅器は重要な役割を果たしており,広帯域性,高利得性,低雑音性,安定性などが求められる.本報告ではゲート長75nmのInP HEMTを用いた増幅器設計技術について述べる.ゲート接地型3段増幅器では出力側インダクタを変えることにより,D帯で利得15 dB,G帯で利得10 dBを実現した.また,超高周波領域では増幅器の利得が高めた場合に,一般的に帰還電力により動作が不安定となる.この帰還電力を抑圧する設計手法を提案し,この手法を用いることにより230-240 GHz帯で利得30 dBを達成した.さらに,この増幅器に変調器と検波器を組み合わせた集積回路を試作し,10 Gb/s信号を変・復調に成功した. 
(英) Recent advances in the process technology of electronics devices have opened the possibility of achieving submillimeter-wave imaging sensors and wireless communication systems. As low noise amplifiers (LNA) are placed at the receiver’s front-end, wide-bandwidth, high-gain and low-noise characteristics are required. In this reports, submillimeter-wave amplifier design methodologies in 75 nm InP HEMTs are reported. Three-stage common-gate amplifiers realizes gains of, 15 dB for D-band, and 10 dB for G-band band by changing output matching inductor of unit amplifier. Moreover, a high gain amplifier is generally difficult to realize in these frequency range, because unwanted feedback power cause unstable operation. Our proposed feedback reduction architecture successfully achieved 30 dB gain at around 230 GHz. A modulator and an envelope detector are also implemented in the amplifier to confirm a large signal operation. Clear eye-opening waveform from the detector output can be successfully obtained for 10 Gb/s data signal.
キーワード (和) ソース接地増幅器 / ゲート接地増幅器 / サブミリ波 / 帰還電力抑圧 / / / /  
(英) Common-gate amplifier / Feedback reduction / InP HEMT / Submillimeter-wave / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-91, pp. 7-11, 2013年12月.
資料番号 ED2013-91 
発行日 2013-12-09 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-12-16 - 2013-12-17 
開催地(和) 東北大通研 
開催地(英) Research Institute of Electrical Communication Tohoku University 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave, terahertz wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Recent Advances and Applicaitons on Over 100GHz Amplifier Technologies 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソース接地増幅器 / Common-gate amplifier  
キーワード(2)(和/英) ゲート接地増幅器 / Feedback reduction  
キーワード(3)(和/英) サブミリ波 / InP HEMT  
キーワード(4)(和/英) 帰還電力抑圧 / Submillimeter-wave  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第1著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ
第2著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第3著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松村 宏志 / Hiroshi Matsumura / マツムラ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第5著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki / スズキ トシヒデ
第6著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第7著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第8著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
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講演者
発表日時 2013-12-16 13:15:00 
発表時間 40 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-91 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.357 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2013-12-09 


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