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講演抄録/キーワード
講演名 2013-12-16 14:20
高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
芝 祥一佐藤 優松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-93
抄録 (和) 110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発した.ミキサにはドレイン端子にLO/RF信号とIF信号を分離するデュプレクサを集積しており,レジスティブ動作およびドレインLO注入型動作が可能である.オンウェハでの評価を行い,ドレインLO注入型動作では,LO周波数110 GHz,RF周波数116 GHzで変換損失3 dBが得られた.LOパワーは3 dBmと小さく,IF帯域幅も20 GHz以上を確保できた.一方,同じチップのレジスティブ動作では変換損失は6.5 dBだったものの,帯域は30 GHzと広い特性が得られた.このチップをモジュールに実装し,モジュール化後の特性評価も行った.低い変換損失,広帯域,低いLOパワーの特性から,高精度計測や通信システムへの応用に有望である. 
(英) A broadband, single fundamental mixer is developed by using InP HEMT technology for use in precise spectrum analysis at frequencies above 110 GHz. The mixer has a duplexer at the drain terminal separating LO/RF signals from an IF signal and functions in both resistive and drain-LO-injection modes. In the drain-LO-injection mode, a conversion loss of 3 dB is measured on-chip. The drain-LO-injection mixer exhibits an IF bandwidth of more than 20 GHz on a wafer at an RF frequency of 116 GHz with an LO signal of 110 GHz and LO power of only 3 dBm. On the other hand, a conversion loss of 6.5 dB and an IF bandwidth of more than 30 GHz are measured on-chip in the resistive mode. The mixer chip is mounted in a module package, and we report on design and characterization of the mixer and module package. Our mixer module shows low conversion loss, wide bandwidth, and low LO power performance, thereby it is one of the best candidate for precise spectrum measurement or wireless communication systems.
キーワード (和) ミリ波・テラヘルツ波 / InP HEMT / 基本波ミキサ / レジスティブミキサ / ドレインLO注入ミキサ / 導波管-マイクロストリップ線路変換 / /  
(英) millimeter-wave / InP HEMT / fundamental mixer / resistive mixer / drain-LO-injection mixer / waveguide to microstrip transition / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-93, pp. 19-23, 2013年12月.
資料番号 ED2013-93 
発行日 2013-12-09 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-12-16 - 2013-12-17 
開催地(和) 東北大通研 
開催地(英) Research Institute of Electrical Communication Tohoku University 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave, terahertz wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An F-band Fundamental Mixer Using InP HEMTs for Precise Spectrum Analysis 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ミリ波・テラヘルツ波 / millimeter-wave  
キーワード(2)(和/英) InP HEMT / InP HEMT  
キーワード(3)(和/英) 基本波ミキサ / fundamental mixer  
キーワード(4)(和/英) レジスティブミキサ / resistive mixer  
キーワード(5)(和/英) ドレインLO注入ミキサ / drain-LO-injection mixer  
キーワード(6)(和/英) 導波管-マイクロストリップ線路変換 / waveguide to microstrip transition  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第1著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第2著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松村 宏志 / Hiroshi Matsumura / マツムラ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki / スズキ トシヒデ
第5著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第6著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第7著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
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講演者
発表日時 2013-12-16 14:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-93 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.357 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2013-12-09 


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