| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2013-12-13 14:10
［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案
○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川 祥（鳥取大） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
我々はCu/HfO2/PtのConducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM)構造において水分が抵抗スイッチングに必要な電圧や電流を下げることを見出した. このことはHfO2の柱状結晶間のナノ細孔内に毛管凝縮した水分がCuイオンの電気化学的拡散を通じてスイッチングを促進することを意味する. この結果は, 電子材料の知識に基づき, 構成素材とその結晶性を重視することで行われてきた従来の抵抗変化型メモリ素子の開発方針を改め, (1)細孔空間の形とサイズ，(2)壁表面の物理的・化学的性質，(3)溶媒の種類を考慮した新たな設計指針を設ける必要があることを示唆する．
本論文では, (1)-(3)による材料及び構造設計に基づいたメモリ特性の制御方法である「細孔エンジニアリング」を提案する. 今回, 特に動作電圧の溶媒依存性について調査を行った結果, Cuイオンの溶解性向上による動作電圧の低減が確認され, 本手法の有効性が示された. |
| （英） |
We found that both switching voltages and switching current of Cu/HfO2/Pt-structured conducting-bridge random access memory (CB-RAM) were reduced by providing water to the HfO2 layer. This suggests that water that is condensed in nano-pores between HfO2 columnar crystals due to capillary condensation enhances resistive switching by the enhancement of electrochemical reaction of Cu ions. Therefore, it was suggested that we have to change our conventional way for the development of CB-RAM, which focused mainly on the quality of materials and the crystallinity on the basis of the knowledge on electronic materials, to new way. The new way is focused on (1) the shape and size of pores, (2) physical and chemical properties of the pore surface, and (3) kinds of solvents. In this paper, we propose a ‘pores engineering’ as the control method of resistive switching properties based on (1)-(3). Switching voltages were confirmed to be decreased with increasing the solubility of Cu ions by solvent substitution measurements, showing the effectiveness of the proposed method. |
| キーワード |
（和） |
Conducting bridge memory / CB-RAM / nano-pore / ion liquid / solvent / ReRAM / / |
| （英） |
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| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） |
奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） |
NAIST |
| テーマ（和） |
シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） |
Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2013-12-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Proposal of "Pore Engineering" as the Method for Controlling Resistive Switching Properties in Resistive Random Access Memory (ReRAM) |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
Conducting bridge memory / |
| キーワード(2)（和/英） |
CB-RAM / |
| キーワード(3)（和/英） |
nano-pore / |
| キーワード(4)（和/英） |
ion liquid / |
| キーワード(5)（和/英） |
solvent / |
| キーワード(6)（和/英） |
ReRAM / |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
鳥取大学/鳥取大学工学部付属電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大/TEDREC)
Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (略称： Tottori Univ./TEDREC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
長谷川 祥 / Sho Hasegawa / |
| 第2著者 所属（和/英） |
鳥取大学 (略称： 鳥取大)
Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2013-12-13 14:10:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
|
| 巻番号（vol） |
vol.113 |
| 号番号（no） |
no.351 |
| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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