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| 講演名 | 2013-12-13 13:30 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ ○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）  SDM2013-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-126 |
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| 抄録 | （和） | a-Ge, a-SiGe 膜の軟 X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge 膜において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100eV にて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eV では100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟Ｘ線照射により結晶化したSiGe 濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連なっており、軟Ｘ線照射結晶化では層間に結晶方位関係を有する結晶成長が実現できることが明らかとなった。 |
| （英） | We examined dependence of the crystallization for a-Ge and a-SiGe on the photon energy. In the storage-ring current of 75 mA, the a-Ge films were crystallized in the photon energy of 100 eV at the sample temperature of 380℃, while they were not crystallized in the photon energy of 130eV at higher temperature of 410℃. Thus, the crystallization of a-Ge films by soft X-ray irradiation depends on the photon energy in comparison with thermal effect. TEM observation was carried out for the a-SiGe multilayer film with gradual change in composition after soft X-ray irradiation. A crystalline SiGe grain formed in the a-SiGe multilayer film. The interface positions and compositions of each layer in the crystalline grain were similar to those of amorphous matrix. The multi layers in the crystalline grain had crystallographic orientation relationship. | |
| キーワード | （和） | 軟Ｘ線 / 低温結晶化 / SiGe 多層膜 / TEM / / / / |
| （英） | Soft X-ray / Low temperature crystallization / SiGe multiplayer / TEM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-126, pp. 61-66, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-126 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-126 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 |
| サブタイトル（和） | 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 |
| タイトル（英） | Low-Temperature Crystallization of Thin-Film Semiconductor by Soft X-ray Irradiation |
| サブタイトル（英） | Photon Energy Dependence and TEM Observation of SiGe Multilayer Film |
| キーワード(1)（和/英） | 軟Ｘ線 / Soft X-ray |
| キーワード(2)（和/英） | 低温結晶化 / Low temperature crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe 多層膜 / SiGe multiplayer |
| キーワード(4)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草壁 史 / Fumito Kusakabe / クサカベ フミト |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 裕樹 / Yuki Maruyama / マルヤマ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 一浩 / Kazuhiro Kanda / カンダ カズヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 孝晏 / Takayasu Mochizuki / モチズキ タカヤス |
| 第6著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito / イトウ カズヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 誠 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト |
| 第8著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-126 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
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