| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 09:00 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2013-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-116 |
|
| 抄録 | （和） | 近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャネル層として低消費電力な高精細ディスプレイの実現が期待されている．しかしながら，酸化物半導体は高い電子移動度を持つ一方で，熱や光に対する信頼性確保は不十分である．現在，透明でフレキシブルなディスプレイの作製にあたり，駆動素子はプラスチックまたはガラスなどの熱伝導率が低い基板上に作製されると予想されており，蓄積された熱は素子の劣化を促すという問題を抱えている．本研究では，ディスプレイのフレーム周波数に近似したパルス電流を印加して酸化物半導体TFTの熱劣化現象を解析した． |
| （英） | In recent years, transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS), represented by a-InGaZnO have been reported. Because of of its high mobility, TAOS is expected as a channel layer of the thin-film transistor which can provide high resolution display with low power consumption. However, while having a high electron mobility, it is insufficient to ensure the reliability under the stress with heat and light for TAOS. TFTs of transparent flexible display are expected to be fabricated on low thermal conductive substrate, such as glass or plastic.These materials tend to accumulate heat that accelerate the degradation of the device. In this study, we analyzed the thermal degradation of the TAOS TFT by applying pulse voltage stress which is approximated to the frame frequency of the display. | |
| キーワード | （和） | パルスストレス / TAOS / 発熱劣化 / 発熱解析 / / / / |
| （英） | pulse stress / TAOS / thermal distribution / thermal analysis / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-116, pp. 1-5, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-116 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-116 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of thermal-induced degradation in oxide thin-film transistor under pulse voltage stress |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パルスストレス / pulse stress |
| キーワード(2)（和/英） | TAOS / TAOS |
| キーワード(3)（和/英） | 発熱劣化 / thermal distribution |
| キーワード(4)（和/英） | 発熱解析 / thermal analysis |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木瀬 香保利 / Kahori Kise / キセ カホリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 苫井 重和 / Shigekazu Tomai / トマイ シゲカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 出光興産株式会社 (略称： 出光興産) Idemitsu Kosan Co., Ltd. (略称： Idemitsu Kosan) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上岡 義弘 / Yoshihiro Ueoka / ウエオカ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 はるか / Haruka Yamazaki / ヤマザキ ハルカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦川 哲 / Satoshi Urakawa / ウラカワ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 公規 / Koki Yano / ヤノ コウキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 出光興産株式会社 (略称： 出光興産) Idemitsu Kosan Co., Ltd. (略称： Idemitsu Kosan) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Dapeng Wang / Dapeng Wang / ダーパン ワン |
| 第7著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル |
| 第8著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第11著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Technology (略称： NAIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 09:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-116 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]