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| 講演名 | 2013-12-13 11:15 InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 ○鈴木純一・福田渓太・林 侑介・姜 晙炫・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  LQE2013-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2013-129 |
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| 抄録 | （和） | 直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、ワンチップ光ルータの実現において有力な方法である。今回、光ルータを構成する半導体光増幅器、III-V/Siテーパ、波長可変レーザの各素子の作製に向けて、構造設計を行ったのでご報告する。ハイブリッド型半導体光増幅器(SOA)では、Si導波路幅を変化させることで光閉じ込め係数を制御する方法を提案し、有限要素法による計算から光閉じ込め係数の制御が可能であることを明らかにした。また、SOAとSi導波路の高効率結合のためのIII-V/Siテーパ構造を検討し、固有モード展開法による計算から99%以上の結合効率を得た。加えて、波長可変レーザのミラーとして利用するリング共振器の設計を行い、30 dBのSMSRを満たしながら35 nmの波長可変幅を得られることを示した。 |
| （英） | III-V/Si hybrid integration with direct bonding is an attractive way to realize one-chip optical router. In this paper, design considerations of III-V/Si hybrid optical amplifier, III-V/Si taper coupling, and tunable laser composing an optical router are reported. In respect to hybrid SOA, the idea of controlling the optical confinement factor by changing Si waveguide width was proposed and revealed by using finite element method. Meanwhile, a structure for highly efficient taper coupling between the hybrid SOA and Si waveguide was investigated by using eigenmode expansion method, and the coupling efficiency over 99% was obtained. Lastly, a ring-resonant-reflector structure enabling a SMSR of larger than 30dB with a tunable range of 35 nm was designed for III-V/Si hybrid tunable laser. | |
| キーワード | （和） | プラズマ活性化貼付け / ハイブリッドレーザ / シリコンフォトニクス / / / / / |
| （英） | Plasma activated bonding / Hybrid laser / Silicon photonics / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 352, LQE2013-129, pp. 21-26, 2013年12月. | |
| 資料番号 | LQE2013-129 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2013-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2013-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術,及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of InP/Si Hybrid Multi-functional Optical Dvice Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ活性化貼付け / Plasma activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | ハイブリッドレーザ / Hybrid laser |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 純一 / Junichi Suzuki / スズキ ジュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 渓太 / Keita Fukuda / フクダ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 姜 晙炫 / JoonHyun Kang / カン ジュンヒョン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2013-129 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) |
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