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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 15:50 ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大）  ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
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| 抄録 | （和） | 原子層堆積（ALD）法によりZrO2/Al2O3積層膜を堆積させ、この膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードを作製した。ZrO2/Al2O3膜の堆積において、ZrO2/Al2O3膜の積層順序をパラメータとして膜の比誘電率、容量－電圧特性、電流－電圧特性が、積層順序によってどのように変わるかを調べた。その結果、?比誘電率は積層膜として計算した値と一致する、?界面準位密度は5層までの積層構造により決定される、?順方向リーク電流はAl2O3膜の層数が多いほど低くなることが分かった。 |
| （英） | Capacitance-voltage and current-voltage characteristics have been investigated for n-GaN MIS diodes. ZrO2/Al2O3 laminated films were used as a gate insulator with varying the deposition sequence of each layer. Following results were found: (i) the dielectric constant of the film showed a good agreement with the calculated one which assumed a laminated structure, (ii) the interface state density was determined by the property of up to 5 mono-layers of the dielectric film, and not by the first one layer, and (iii) the forward current became low with increasing the fraction of Al2O3 in the laminated film. | |
| キーワード | （和） | GaN / Al2O3 / ZrO2 / MIS diodes / / / / |
| （英） | GaN / Al2O3 / ZrO2 / MIS diodes / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-87, pp. 107-112, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-87 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface properties of n-GaN MIS diodes with laminated ZrO2/Al2O3 films as a gate insulator |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | ZrO2 / ZrO2 |
| キーワード(4)（和/英） | MIS diodes / MIS diodes |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樹神 真太郎 / Shintaro Kodama / コダマ シンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-87, CPM2013-146, LQE2013-122 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.107-112 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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