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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 15:25 ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大）  ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
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| 抄録 | （和） | 原子層堆積（ALD）によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を調べた。ALD Al2O3膜堆積前に、保護膜を用いずに窒素雰囲気で850℃のオーミックアニールを行った試料は、低い絶縁破壊電圧と容量変化の小さなC-V特性を示し、X線光電子分光法（XPS）により、InAlNの表面がアニール炉内の微量な汚染によって酸化したことがわかった。また、Al2O3堆積後にオーミックアニールを行った試料は、アニール中にInAlN表面を保護したのにもかかわらず特性が改善せず、1013 cm-2eV-1台の界面準位が発生した。この結果は高温アニールによってAl2O3が結晶化したことに起因した可能性が高い。一方、SiNx層を保護膜としてオーミックアニールを行い、その後ALDでAl2O3を堆積した試料は電気的特性が大幅に改善し、界面準位密度も伝導帯側で1012 cm-2eV-1台まで低減した。また、この試料に関して400℃で低温アニールを行ったところ、さらなる界面準位の低減が確認された。これらの結果より、作製プロセスの最適化によってAl2O3/InAlNの界面特性を向上させることが可能であることがわかった。 |
| （英） | We investigated the dependence of the electrical properties on the fabrication procedure for InAlN MOS structure having an Al2O3 layer formed by atomic layer deposition (ALD). When the ALD Al2O3/InAlN interface was formed after ohmic-contact annealing in nitrogen without the use of a cap layer, the electrical properties were poor, resulting in a small capacitance change in the capacitance-voltage (C-V) curve. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) study indicated that the bare InAlN surface was oxidized during capless annealing presumably owing to the trace contamination in the furnace. High-temperature ohmic-contact annealing after Al2O3/InAlN interface formation did not improve the interface properties, resulting in interface state density Dit in the range of 1013 cm-2eV-1, despite the use of the Al2O3 layer for surface protection. This was highly likely related to the crystallization of Al2O3. When a SiNx layer was used as the cap layer during ohmic-contact annealing prior to ALD, greatly improved characteristics of the MOS diode were achieved, indicating that Dit was suppressed to be in the range of 1012 cm-2eV-1 near the conduction band. Furthermore, as a result of low-temperature post-deposition annealing at 400 ℃ for this sample, reduction of the interface states was achieved. The obtained results indicate that an appropriate fabrication procedure leads to an improvement of the Al2O3/InAlN interface properties. | |
| キーワード | （和） | InAlN / Al2O3 / 界面制御 / MOS / / / / |
| （英） | InAlN / Al2O3 / interface control / MOS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-86, pp. 101-105, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-86 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Fabrication Process on Electrical Properties of InAlN MOS structures with ALD-Al2O3 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(2)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | 界面制御 / interface control |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 千葉 勝仁 / Masahito Chiba / チバ マサヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 拓真 / Takuma Nakano / ナカノ タクマ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤澤 正道 / Masamichi Akazawa / アカザワ マサミチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-86, CPM2013-145, LQE2013-121 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.101-105 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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