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| 講演名 | 2013-11-29 13:55 透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 ○前田哲利・平山秀樹（理研）  ED2013-83 CPM2013-142 LQE2013-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-83 CPM2013-142 LQE2013-118 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN系深紫外LED（DUV-LEDs）に関して、光取出し効率（LEE）の改善は最重要事項の1つである。我々はLEE改善のため、従来のp-GaNコンタクト層から透明p-AlGaNコンタクト層を置き換え、高反射Ni/Al p型電極の導入を提案する。Al組成60-63％のp-AlGaNコンタクト層は、殺菌波長にかかる発光波長275nm以上の発光に対して透過率90％以上の高い透明性を示した。透明p-AlGaNコンタクト層上のp型電極を、従来のNi/Au電極から高反射Ni/Al電極に置換えたことによってLEEは約1.7倍増加した。また、p-AlGaNコンタクト層を用いてもキャリア注入効率(CIE)に関して高効率維持は可能であり。275および279nm発光に関して、最高EQEはそれぞれ5.6％および7％を示した。 |
| （英） | The improvement of light-extraction efficiency (LEE) is one of the most important issues for AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs). For LEE improvement, we propose replacing a conventional p-GaN contact layer with a transparent p-AlGaN contact layer and introducing a highly-reflective p-type Ni/Al electrode. A p-AlGaN contact layers with Al-composition of 60-63% has higher-than-90% transparency for longer-than-275nm emission wavelengths which corresponds to sterilization wavelength. In comparison with using of conventional Ni/Au electrode, that of Ni/Al electrode on transparent p-AlGaN contact layer made LEE maximum 1.7times. And we found that high electron injection efficiency (EIE) can be maintained in spite of using p-AlGaN contact layer. As a result, we realized the maximum EQE data of 5.6 and 7% for 275 and 279 nm DUV LEDs, respectively. | |
| キーワード | （和） | DUV LED / AlGaN / LEE / / / / / |
| （英） | DUV LED / AlGaN / LEE / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-118, pp. 87-90, 2013年11月. | |
| 資料番号 | LQE2013-118 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-83 CPM2013-142 LQE2013-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-83 CPM2013-142 LQE2013-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of high-efficiency deep-UV LED by using transparent p-AlGaN contact layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DUV LED / DUV LED |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | LEE / LEE |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) Institute of Physical and Chemical Reserch (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) Institute of Physical and Chemical Reserch (略称： RIKEN) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2013-83, CPM2013-142, LQE2013-118 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-90 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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