講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-29 13:30
270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ○美濃卓哉(理研/パナソニック)・平山秀樹(理研)・野口憲路・高野隆好・椿 健治(理研/パナソニック) ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 |
抄録 |
(和) |
AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い,2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した.アンモニアパルス多段成長法を導入することで,サファイア基板上AlNテンプレートの結晶性を向上させるとともに,2インチ×3枚の範囲内で結晶性を均一化することに成功した.その結果,このAlNテンプレート上に波長270nm帯の深紫外LEDを作製し,光出力の測定から,外部量子効率(EQE)を算出したところ,2-3%を示す波長270nm帯LEDチップが,2インチウエハ面内の約50%の範囲から得られた. |
(英) |
High-quality AlN templates were successfully fabricated on sapphire substrates by using a 2-inchx3 metallorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor, for the realization of low-cost AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs). Applying NH3 pulsed-flow method to a fabrication of AlN templates resulted in a good wafer-to-wafer and in-wafer uniformity of the crystalline-quality of AlN/sapphire templates. Furthermore these AlN templates enabled the highly-uniform 270-nm DUV LEDs. The external quantum efficiencies (EQEs) of 2-3% were obtained in approximately 50% of the area of 2-inch wafer. |
キーワード |
(和) |
深紫外LED / AlNテンプレート / 大面積形成 / 低コスト化 / / / / |
(英) |
Deep-ultraviolet light-emitting diode / AlN template / uniformity / low-cost / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-117, pp. 83-86, 2013年11月. |
資料番号 |
LQE2013-117 |
発行日 |
2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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