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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-29 09:55
有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定
桒田宗一郎小泉 淳藤原康文阪大ED2013-78 CPM2013-137 LQE2013-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-78 CPM2013-137 LQE2013-113
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-113, pp. 67-70, 2013年11月.
資料番号 LQE2013-113 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Deep-level transient spectroscopy study on defect levels in Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 桒田 宗一郎 / Souichirou Kuwata / クワタ ソウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小泉 淳 / Atsushi Koizumi / コイズミ アツシ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 康文 / Yasufumi Fujiwara / フジワラ ヤスフミ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2013-11-29 09:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2013-78,IEICE-CPM2013-137,IEICE-LQE2013-113 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2013-11-21,IEICE-CPM-2013-11-21,IEICE-LQE-2013-11-21 


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